一、英特尔公司晶片发展史（论文文献综述）
汪新波[1]（2012）在《核心与平台 英特尔的成功之路》文中研究指明2000年之后,PC行业进入成熟期,面对竞争,英特尔一方面在低端市场上应战,另一方面,重新巩固其在高端市场的优势,将产品线从PC平台转向了移动终端等新兴平台英特尔公司在IT产业史上的地位是相当特殊的,英特尔的核心产品微处理器被称为IT产业的心脏,被广泛地应用到PC、手机、服务器以及各种家电产品中。正如当年的蒸汽机、电力和汽车装配线一样,微芯片已经成为推进新经济的引擎。英特尔公司是数字时代的核心企业,半导体工业领袖,没有与英特尔及其相关的伟大发明,IT产业的面貌或许是另外一个样子。
蔡立英[2]（2012）在《光子芯片简易制造》文中认为如果你想让计算机运行速度更快,你需要的是一个更快的信息载体。这就是硅光子学的思想:用光子而不是之前行动迟缓的电子快速地把数据写到硅芯片上。用于通信的光纤电缆中已经使用光子来传输数据。但是在计算机中运用光子技术则意味着在相同的硅晶片刻蚀出晶体管和激光器,这需要一个先进的晶圆代工制造业。只有大公司和少数财力雄厚
鄢显俊[3]（2010）在《信息垄断：信息技术革命视阈里的当代资本主义新变化》文中进行了进一步梳理信息技术革命是当代最重要的科技-产业革命,它发生在20世纪40年代末到90年代初期的美国并以前所未有的力度改造着人类社会。就技术和社会互动的角度观察,在美国特定历史时期发生的信息技术革命是一个复杂的、与社会相互作用中展开的过程,美国社会为信息技术革命创造了一个良好的“生态环境”。经由信息技术革命“重塑”的当代资本主义被称为信息资本主义,在其形成过程中诞生了信息垄断,它指独占信息核心技术的信息产业垄断资本、凭借其市场权力,滥用知识产权以攫取高额利润而实施的一种垄断,是当今资本主义微观经济领域最值得关注的现象,对资本主义产生了重大的影响,对它鞭辟入里的解剖将为科学认识当代资本主义新变化提供一扇独特的“视窗”。信息垄断起源于信息经济形成和信息产业勃兴的20世纪80年代,成熟于90年代。信息垄断的实质是对知识的垄断,其表现形式是垄断IT核心技术。信息垄断的发展史也就是全球计算机软件巨头微软公司和CPU芯片巨头英特尔公司的发家史,其产业代表是英特尔公司和微软公司结成的Wintel联盟。而值得警惕的“另类信息垄断”所造成的影响逐渐引起国际社会普遍担心：它有可能成为信息时代美国控制互联网“话语权”的重要手段。“信息垄断生态环境模型”揭示了信息垄断赖以生存的特殊生态环境,它由信息垄断的产业环境、产品基础和法律环境三大要素构成。信息垄断厂商熟练地运用法律策略和无所不用其极的商业策略打压竞争并侵害消费者。为此,它遭遇了美欧日韩各国频频发起的反垄断调查和诉讼。信息垄断在发展过程中孕育了对抗自己的“内生反对力量”。这就是“自由软件”运动以及由此引发的“开源软件”运动。前者坚决反对微软代表的资本主义“私有软件”制度,堪称“信息资本主义时代‘赛博空间’里空想社会主义。后者试图探索一条“自由软件”商业化运作的道路,而且获得成功,这是理想妥协于现实的必然结果。信息垄断的本质是资本主义生产关系进入信息时代的特殊体现。任由信息垄断泛滥将对经济公正乃至社会公正产生重大危害。而且,作为一种超经济的、强大的“战略武器”,信息垄断还能够被广泛运用于国家利益之争、。当代资本主义的新变化除了信息垄断这一微观层面的经济现象外,还表现在中观和宏观的其他所有领域,在信息技术范式的“重塑”下,信息资本主义的种种新变化表现为“创造性破坏”的多维、量化展示。除此,“数字鸿沟”代表了当代资本主义新型的两极分化。探讨国家间“数字鸿沟”的测度方法和量化表现,将更有助于认识当代资本主义发展不平衡的内在规律以及所蕴藏的危机。信息资本主义与中国特色社会主义的关系是信息时代最复杂的“两制”关系,其特征可用：“共时态并存中的相互借鉴与纠结发展”来概括。中国特色社会主义和信息资本主义在20世纪70年代中后期开始发生紧密联系和互动,这种复杂关系的演进符合马克思主义关于社会发展一般规律中必然性和偶然性关系的原理。促使这种错综复杂关系产生的最重要因素就是——日愈全球化的社会生产力发展的必然动能所致,这是马克思早年所指的“世界历史”发展的必然结果。与传统资本主义相比,当代资本主义的确发生了诸多引人注目的新变化。但资本主义的本质依旧。马克思主义所揭示的资本主义生产方式具有两大本质特征仍旧如故,第一,它生产的产品是商品,即商品生产无所不在；第二,社会生产的出发点和归宿是榨取剩余价值。综合马克思“两个必然”和“两个决不会”解读当代资本主义新变化,必须看到,“两个必然”揭示了社会主义代替资本主义的客观趋势,而“两个决不会”则强调了不同社会生产方式更替的长期性和艰巨性。总之,当代资本主义仍然有长足的发展空间。马克思主义的基本态度是：以变化的眼光看待变化本身。信息技术革命开启了人类经济和社会的信息化变迁历程。运用ORBICOM提供的测量方法,通过多维度量化考察中国特色的信息化进程,比较它与信息资本主义的差距及中国的追赶特点。可以看到,作为世界上最大的发展中国家,自20世纪90年代以来开创的中国特色的信息化道路是人类社会信息化进程中超常规发展的典范,彰显了中国特色社会主义的制度优势。为应对以信息技术革命为典型代表的当代新科技革命的挑战,中国的国策是：走中国特色自主创新道路,建设创新型国家。
方兴东,王俊秀[4]（2010）在《“硅谷的艾森豪威尔”——罗伯特·诺伊斯》文中提出诺伊斯与摩尔、格鲁夫一同缔造了英特尔,构建了业界极为罕见、完美和谐的三人执政局面。三人的合作可以说是天作之合,缺少任何一位可能都会让英特尔历史大幅改写。没有诺伊斯,英特尔不会成为一家着名的大公司;没有摩尔,英特尔不可能有足够的力量和士气;而没有强硬的格鲁夫,英特尔甚至不会成其为公司。
王燕军[5]（2010）在《浅槽隔离中的氧化层缺陷解决方案的研究》文中指出最近几年,随着半导体技术的快速发展,半导体集成电路发生了翻天覆地的变化。而其中,半导体的隔离技术也经历了巨大发展。以前当半导体制造技术在0.25微米以上线宽的时候,用的隔离工艺是硅的局域氧化工艺。硅的局域氧化工艺是一个非常成熟的工艺,在微米时代有着广泛的应用。而当半导体制造技术下降到0.25微米以下线宽,由于硅的局域氧化工艺存在着一系列难以克服的技术难题,浅槽隔离技术就完全代替了硅的局域氧化技术,为半导体的发展发挥出了巨大的贡献。半导体进入纳米时代之后,浅槽隔离中的高温热氧化物的厚度也会随着线宽的减小而越来越薄,在90纳米的工艺中高温热氧化物的厚度仅仅只有100埃。因此随之而来的问题是:由于在形成热氧化物的时候,由于硅和氧的不完全反应,在硅和二氧化硅的界面会生成一氧化硅的气态不稳定物质。由于高温热氧化物的厚度太薄,这种不稳定的物质会在高温缺氧的情况下,从氧化层中爆出,导致在浅槽隔离中形成热氧化层的缺陷,最终导致产品电性不稳,良率和可靠性降低。我们称这种浅槽隔离中的高温热氧化层缺陷为有源区域损伤的缺陷。本文解决的就是在实际的90纳米逻辑和闪存制程中碰到的氧化层缺陷问题。先通过透视电镜切片来确定热氧化物在浅槽中不同位置的厚度,然后再通过大量的实验优化了高温热氧化及之后的高温热退火的程式,使高温热氧化和高温热退火由原先两个独立的程式优化成一个合并的程式。这个程式不但在高温热氧化的过程中通有氧气,同时在高温热退火的过程中也通有小流量的氧气,从而让一氧化硅气态不稳定物质即使在高温热退火情况下,也能固定成二氧化硅固体,从而不会爆裂出来。因而有效地改善了这种有源区域损伤的缺陷,使产品良率从87.7%提升到95.9%,同时降低数百万美元的生产成本,获得巨大的经济效益。
黄健[6]（2009）在《半导体企业PD的技术转移》文中进行了进一步梳理技术转移是指通过从技术前沿企业、研发组织和学术研究机构引进观念、知识、设备和制造工艺以更加普遍和有效地将它们所开发的技术应用于工商企业,从而促进这些工商企业技术创新的过程,是企业技术开发与产品量产之间的桥梁,是技术走向大生产的关键。技术转移不是简单的技术传递过程,而是调动人、财、物各种要素,动用有效的管理使技术、产品和工程有机融合的过程。对企业技术转移的案例进行分析,找出影响技术转移成功的因素,揭示企业存在的问题,可以给企业提供管理决策信息,促使企业采耿相应的措施,提高企业市场竞争能力。本文在学习和吸取国内外专家学者关于企业技术转移知识的基础上,描述了英特尔PD site关于CPU生产技术和Penryn产品的技术转移实践,在此基础上分析了PD site的技术转移效率。进而对PD site技术转移的影响因素进行了分析,概括出PD site技术转移成功的原因。对PD site技术转移的问题,提出了缩短技术转移周期的办法,针对企业技术重心的变化,提出了推进企业技术进步的建议,最后对跨国公司的跨国研发与技术控制进行了探讨。英特尔公司通过一系列电脑中央处理器生产与研发技术的转移,使其PDsite生产CPU的技术水平不断提升。通过技术转移更新生产设备,完善生产工艺与方法,提高劳动者的素质,从而使企业的技术效率得以提高。隐性知识的转化、新技术成熟度的判定、组织因素、激励机制、决策者的支持等影响因素对PD site的技术转移的成败具有重要影响。PD site技术转移成功的主要原因精确复制技术的运用实施,上级母公司的支持和自身日益强大的的技术吸收能力,对待技术转移的积极态度、激励机制和合作机制。母公司通过控制晶圆的生产,控制了核心技术外溢。
曹鸣[7]（2008）在《离子注入中金属污染的防治措施》文中指出随着栅极氧化层越来越薄,CD线宽越来越窄,离子注入工艺中的金属污染成为离子注入工艺中最重要和急需解决的污染问题。特别是工艺精度进入到90nm以下之后,先进制程增加了金属污染对晶圆电学特性干扰的可能性。因此,如何控制离子注入的金属污染是在制成工艺进步的同时保持较高成品率的一个重要的课题。通过对离子注入工艺的研究发现,离子注入工艺中发生的金属污染主要有工艺设备和生产管理两方面的原因。其中,工艺设备的原因包括在解离过程中由于材料运用不当所造成的解离金属污染,和离子束在运行路径上的溅射所产生金属污染。而在生产管理上,由于生产流程规定的疏漏,在设备测试片和工程试验片的运用过程中,也会造成非常严重的金属污染。此前的设备设计都是通过增加硅保护层来减少或防治金属离子污染的产生。这种方法对金属溅射污染起到了明显的改善作用,但是硅保护层受到轰击或侵蚀的作用,无法长期稳定的对金属部件进行保护,不能运用于带电极板,此外对解离金属污染也毫无防治可言。改进后的设备选取荷质比与常用掺杂元素离子的荷质比相距较远的钨金属,作为制造离子源的主要新材料,从离子源头防治解离金属污染的产生。在离子束中段,通过大量使用导电性好的非金属材料石墨作为极板材料,减少了金属溅射过程的发生,从而也控制了离子注入机中段部分金属污染的产生。在生产管理上,开发自动化工程试验和日常监测生产管理系统,将工程试验和日常监测等特殊工作流程都定义在整个制造厂的自动化系统中,大大降低了操作人员发生人为失误的可能性,可以达到有效便捷的生产。减少的金属污染在离子注入设备区域发生的机率,提高了生产的品质。在金属污染的监测方面,改进并实行TXRF日常使用与SIMS重点使用的综合方法。既能长期有效稳定的金属污染量检测,又能对个别特殊设备状况进行有效分析。达到了提高检测水平和控制检测成本的目的。
邹蓉[8]（2008）在《半导体产业的国际转移研究》文中指出半导体产业是目前世界上发展最快、最有影响力的产业之一,它的发展极大地推动了世界经济和技术的快速发展。各界学者、各国政府都十分重视半导体产业的发展与演变。半导体产业本身的演变也正在引起管理学界、经济学界的重视——硅谷奇迹等半导体产业现象正在不断被研究和被其他产业的高科技企业学习与模仿。本文将以半导体产业为特定研究对象,从商业设计思想的角度研究该产业技术演变下的产品变化、产业结构革新情况。并立足于该产业的国际转移轨迹,以技术特性及演变、企业战略与组织能力、国家产业政策为切入点,剖析世界四大半导体生产基地——美国、日本、韩国、我国台湾地区国际竞争力的形成,研究影响半导体国际转移的因素,探讨半导体国际产业转移的机制。全文共分五章,各章研究内容概括如下:第一章,介绍半导体产业的相关概念,对该产业的主要特点进行分析,在概括半导体产业的世界空间格局的基础上,阐明半导体对社会经济增长的重要性,从而引出议题。第二章,对国际产业转移、设计思想等基本概念进行界定,并提出本文的理论依据,为下面几章作好理论的铺垫。第三章,分别对美国、日本、韩国、台湾的半导体产业竞争力的形成及产品特点进行分析。以一国半导体产品国际市场份额、该国大型半导体企业的竞争力以及半导体产品的国际贸易作为产业转移的判断依据,勾勒出半导体产业的国际转移轨迹。第四章,以后发者——韩国、我国台湾半导体产业发展模式为主要研究对象,深入剖析引起半导体产业转移的深层原因:找出影响半导体产业转移的主要因素;并通过分析这些影响因素在不同时期在不同国家的相互影响、相互作用情况,诠释半导体产业国际转移机制。第五章,在总结有关半导体产业国际产业的规律和机制基础上,指出半导体产业转移的最新趋势,结合我国产业结构调整与升级的实际需要及我国的相关产业发展基础,探讨我国未来半导体产业发展模式和战略选择问题,并对我国培育具有国际竞争力的半导体产业提出若干指导性建议。
金烨[9]（2008）在《第二次计算机革命》文中认为被称为第二次计算机革命的微处理器在特德·霍夫手中诞生了,它开启了微机时代。有人认为,1946年诞生的"ENIAC",揭开了电子计算机发展的新纪元,是电子计算机发展史上的第一次革命;微处理器的出现,使电子计算机的应用
赖国伟[10]（2004）在《基于模块化的商务模式创新——以PC产业为例》文中研究指明“商务模式”是上世纪九十年代在风险投资业界非常流行的一个术语，风险投资商用这个词来概括初创企业如何获利的逻辑。然而，考察“商务模式”在学术文献上出现的时机和被使用的目的，商务模式显然不仅仅是风险投资和初创企业的专用名词。任何一个组织（如企业、非盈利组织等）都有自己的商务模式，企业的商务模式是为了盈利，但不能仅仅以简单的一句话来表述。国内外将“商务模式”作为专门研究对象进行学术研究的学者屈指可数，商务模式理论在概念的内涵和外延、前提假设、理论体系和内容、研究分析方法、与现行企业管理理论的联系和区别等课题仍然有待于建树；商务模式与企业绩效的关系、商务模式的好坏、商务模式与产业、技术的关系等实证问题有待于研究。因此，本文从国内外关于“商务模式”的研究现状出发，进一步研究商务模式理论的一些内容，构建企业商务模式的创建路径和工具，并对PC企业商务模式创新演化路径进行案例研究，以此证明商务模式创新的存在和普适性。 本文在翁君奕（2003）提出的商务模式理论框架和价值分析体系的基础上，以复杂系统的模块化分析方法，以商务模式核心界面价值分析、商务模式创新的设计和演化为主要内容。全文分为六章： 导言 回顾了国内外商务模式的研究历史和现状，界定了商务模式的内涵和外延，提出了作为企业整体活动解决方案的商务模式定义。此外，导言还对本文的研究对象、方法、结构和创新作了简要介绍。 第一章 对商务模式核心界面进行了价值分析，利用以客户为中心和以企业为中心的价值分析方法，构建了商务模式价值分析矩阵。企业可以采用该矩阵分析工具来对自身和其它企业的商务模式状态进行分析评价。本章为第二章构建商务模式设计矩阵和模块化奠定企业活动分析基础。 第二章 首先阐述了商务模式是一个复杂系统，可以采用模块化方法分解；其次，本章介绍了模块化方法的起源、概念和在管理领域的研究情况；再次，本章分析了商务模式核心界面内部以及相互之间的复杂联系，并将这些联系参H基于模块化的商务模式创新:以PC产业为例数化，构建了商务模式设计参数矩阵，确定了商务模式的设计规则;最后，本章以模块化的六种操作来说明商务模式创新和演化路径。 第三、四和五章采用案例分析方法，对PC产业中的英特尔公司、微软公司和戴尔公司三家主导企业的商务模式模块化创新和演化进行研究分析。通过比较分析得出结论，正是它们独特的商务模式创造了竞争对手难于模仿的竞争优势。 第六章对全文的研究结论、不足和研究展望进行了简要的叙述，是本文的结语。
二、英特尔公司晶片发展史（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、英特尔公司晶片发展史（论文提纲范文）
（1）核心与平台 英特尔的成功之路（论文提纲范文）
| 光荣的家谱 |
| 确立核心:从存储器到微处理器 |
| “摩尔定律”的实践者 |
| 遭遇竞争 |
| 重振核心再造平台 |
| 总结 |
（2）光子芯片简易制造（论文提纲范文）
| 制造共享助益研究与创业 |
（3）信息垄断：信息技术革命视阈里的当代资本主义新变化（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 序言 |
| 一、问题的缘起和研究的意义、研究的方法 |
| (一) 问题的缘起 |
| (二) 研究的意义 |
| (三) 研究的方法 |
| 二、文献综述 |
| (一) 信息技术革命的起源及内涵 |
| (二) 信息技术革命促成当代资本主义新变化 |
| (三) 垄断理论的争鸣及信息产业的垄断现象 |
| 三、相关概念界定 |
| (一) 信息技术与信息技术革命 |
| (二) 信息化、信息产业和信息经济 |
| (三) 资本主义、信息资本主义与信息垄断 |
| 四、研究的难点和主要创新点 |
| (一) 研究的难点 |
| (二) 研究的主要创新点 |
| 第一章 信息技术革命的起源与信息垄断的历史进程 |
| 第一节 信息技术革命及其社会历史原因 |
| 一、信息技术革命是人类历史上最深刻的科技-产业革命 |
| 二、信息技术革命的社会历史原因:基于SST理论的分析 |
| 第二节 信息垄断的历史进程 |
| 一、信息垄断前史——信息产业和信息经济萌芽 |
| 二、信息垄断的萌芽——信息产业和信息经济迅速发展阶段 |
| 三、信息垄断的形成与发展——信息经济基本形成阶段(20世纪90年代以来) |
| 第二章 信息垄断的产业代表及"另类信息垄断" |
| 第一节 信息垄断的产业代表:"Wintel联盟" |
| 一、何谓Wintel联盟 |
| 二、信息垄断暨Wintel联盟的特征 |
| 第二节 值得警惕的另类"信息垄断":互联网核心设施垄断 |
| 一、互联网核心设施垄断的含义 |
| 二、互联网核心设施垄断所面临的压力及其变革 |
| 第三章 信息垄断赖以生存的特殊"生态环境" |
| 第一节 信息垄断的产业环境:信息产业及其加速度规律 |
| 一、"摩尔定理"(Moore's law)揭示信息产业的加速度规律 |
| 二、"摩尔定理"(Moore's law)对信息垄断的意义 |
| 第二节 信息垄断的产品基础:信息产品的诸多特性 |
| 一、信息产品的生产具有高固定成本、低边际成本的特征 |
| 二、信息产品能够对用户产生极强的"锁定"(Lock-in)效应 |
| 三、信息产品具有极强的"时效性" |
| 四、信息产品具有"网络效应" |
| 第三节 信息垄断的法律环境:严密的知识产权法律制度 |
| 一、美国的知识产权法律制度简介 |
| 二、美国在全世界率先开启对计算机软件版权保护的先河 |
| 第四章 信息垄断厂商的市场策略及其与反垄断调查的博弈 |
| 第一节 信息垄断厂商的法律策略:用"知识产权的大棒"维护垄断 |
| 一、计算机软件保护肇始之作:盖茨"致计算机爱好者的公开信" |
| 二、专利权从来都是英特尔克敌制胜的不二法宝 |
| 三、微软的全球反盗版行动 |
| 第二节 信息垄断厂商的商业策略:"知识霸权"主宰下的赢家通吃 |
| 一、"捆绑"(Bundling)策略 |
| 二、OEM策略 |
| 三、"歧视性价格"策略 |
| 四、"标准战争" |
| 第三节 信息垄断与反垄断调查的博弈:魔道相长的激烈对抗 |
| 一、美国反垄断法律制度与微软、英特尔遭遇的反垄断调查及诉讼 |
| 二、欧盟、韩国和中国台湾针对微软、英特尔的反垄断调查和诉讼 |
| 第五章 信息垄断的内生反对力量、本质及危害 |
| 第一节 信息垄断的内生反对力量 |
| 一、"自由软件"运动:信息资本主义时代"赛博空间"里的空想社会主义 |
| 二、从"自由软件"到"开源软件"的嬗变:自由精神如何不被商业湮灭 |
| 第二节 "开源软件"对微软垄断的挑战及微软的应对 |
| 一、"万圣节文档":微软内部机密备忘录 |
| 二、"开源软件"反抗微软垄断的苦斗及初现的曙光 |
| 第三节 信息垄断的本质及危害 |
| 一、信息垄断的本质 |
| 二、信息垄断的危害 |
| 第六章 当代资本主义的"重塑"及其新型的两极分化 |
| 第一节 信息技术范式对当代资本主义的"重塑" |
| 一、信息技术革命促使技术经济范式向信息技术范式转型 |
| 二、信息技术范式框架里的当代资本主义新变化:"创造性破坏"的一般描述 |
| 三、信息资本主义新变化种种:"创造性破坏"的多维、量化展示 |
| 第二节 信息资本主义新型的两极分化:"数字鸿沟" |
| 一、"数字鸿沟"及其测量模型 |
| 二、信息资本主义"数字鸿沟"的种种量化表现 |
| 三、各国"信息状态"暨"数字鸿沟"的演进比较 |
| 第七章 信息资本主义与中国特色社会主义 |
| 第一节 共时态并存中相互借鉴与纠结发展的"两制"关系 |
| 一、"两制"关系发展的关键历史阶段A-B(1975-1979) |
| 二、"两制"关系深入、全面且曲折发展的历史阶段B-E(1992-2008) |
| 第二节 中国特色的信息化发展道路 |
| 一、中国特色信息化进程的三个阶段 |
| 二、中国特色的信息化与当代资本主义信息化的综合比较 |
| 三、信息化进程中的当代资本主义和中国特色社会主义 |
| 第三节 当代中国应对信息技术革命挑战的方略 |
| 一、创新型国家与与国家创新体系 |
| 二、中国特色的主创新道路及国家创新体系 |
| 结束语 |
| 一、全文总结 |
| 二、研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）“硅谷的艾森豪威尔”——罗伯特·诺伊斯（论文提纲范文）
| 偷猪事件 |
| “仙童”经历 |
| 5分钟筹足250万美元 |
| 硅谷的艾森豪威尔 |
| 链接英特尔另外两个创始人:摩尔和格鲁夫 |
| 摩尔:发现规则 |
| 格鲁夫:创造奇迹 |
（5）浅槽隔离中的氧化层缺陷解决方案的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 概述 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 半导体产业介绍 |
| 1.3 集成电路制造工艺概况 |
| 1.4 课题的目的和意义 |
| 1.5 论文的主要内容 |
| 第二章 浅槽隔离中热氧化层的工艺流程介绍 |
| 2.1 半导体隔离技术的介绍 |
| 2.2 半导体浅槽隔离中高温热氧化和高温热退火的介绍 |
| 2.2.1 高温热氧化和高温热退火的应用范围 |
| 2.2.2 高温炉管热氧化和热退火的内容 |
| 2.3 高温炉管的介绍 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 浅槽隔离中氧化层缺陷的表象和成因分析 |
| 3.1 问题描述 |
| 3.2 90 纳米工艺中高温热氧化和高温热退火的反应过程介绍 |
| 3.3 浅槽隔离中的氧化层缺陷形成原因的分析 |
| 3.3.1 氧化层缺陷的特征表现 |
| 3.3.2 氧化层缺陷的形成原因的分析 |
| 3.4 氧化层缺陷形成的极限氧化物厚度分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 浅槽隔离中氧化层缺陷解决方案的研究 |
| 4.1 浅槽隔离中氧化层缺陷解决方案的研究 |
| 4.1.1 高温热退火处理方法改变的研究 |
| 4.1.2 高温热氧化和高温热退火的DOE 实验设计方案 |
| 4.1.3 用合并的高温热氧化和高温热退火程式来完全解决氧化层缺陷 |
| 4.2 氧化层缺陷解决方案的量产检验 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
（6）半导体企业PD的技术转移（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 理论的渊源及演进过程 |
| 1.2.2 国外有关研究的综述 |
| 1.2.3 国内有关研究的综述 |
| 1.3 研究目标与研究内容 |
| 1.3.1 研究目标 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 1.3.3 论文结构安排 |
| 第二章 PD site的技术转移实践 |
| 2.1 整个公司的概述 |
| 2.2 PD site的技术转移实践 |
| 2.2.1 PD site CPU生产技术的转移 |
| 2.2.2 Penryn产品的转移 |
| 2.3 CPU技术的发展 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 PD site的技术转移效率分析 |
| 3.1 技术转移效率与技术效率的关系 |
| 3.2 技术效率的评价方法与评价指标 |
| 3.2.1 技术效率评价的意义 |
| 3.2.2 确定技术效率的评价方法 |
| 3.2.3 确定PD site技术效率的评价指标和收集数据 |
| 3.2.4 评价模型的建立与测算结果 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 PD site技术转移影响因素和成功原因分析 |
| 4.1 技术转移的影响因素分析 |
| 4.1.1 技术转移中隐性知识的转化 |
| 4.1.2 新技术成熟度的判定 |
| 4.1.3 组织因素 |
| 4.1.4 激励机制 |
| 4.1.5 决策者的态度 |
| 4.1.6 技术吸收能力 |
| 4.2 PD site技术转移成功的原因分析 |
| 4.2.1 先进技术"精确复制"的有效实施 |
| 4.2.2 上级母公司发展战略的要求 |
| 4.2.3 PD site日渐强大的技术吸收能力 |
| 4.2.4 PD site技术转移相关机制和要求 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 PD site技术转移问题及应对建议和母公司跨国运作策略 |
| 5.1 PD site技术转移的问题 |
| 5.1.1 PD site CPU生产部门的组织结构和技术转移流程 |
| 5.1.2 组织结构和技术转移流程的变化 |
| 5.2 缩短技术转移周期 |
| 5.3 推进PD site技术进步 |
| 5.3.1 技术重心的变化 |
| 5.3.2 PD site技术进步的建议 |
| 5.4 PD site母公司跨国运作策略 |
| 5.4.1 英特尔的跨国研发 |
| 5.4.2 跨国公司的技术控制策略 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（7）离子注入中金属污染的防治措施（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 半导体产业技术发展 |
| 1.3 工业化生产的需求 |
| 1.4 提高成品率的需求 |
| 第2章 离子注入金属污染的现象和成因 |
| 2.1 离子注入金属污染的定义 |
| 2.2 离子注入金属污染的元素组成 |
| 2.3 离子注入金属污染成因分析 |
| 2.3.1 解离金属污染 |
| 2.3.2 溅射金属污染 |
| 2.3.3 生产金属污染 |
| 第3章 离子注入金属污染的解决方案 |
| 3.1 设备部件的改进 |
| 3.1.1 增加硅保护层 |
| 3.1.2 离子源材料的改进 |
| 3.1.3 极板材料的改进 |
| 3.2 生产管理系统的改进 |
| 3.2.1 自动工程试验系统 |
| 3.2.2 自动日常检测系统 |
| 3.3 金属污染监测的改进 |
| 3.3.1 传统的SIMS 测量 |
| 3.3.2 TXRF 测量 |
| 3.3.3 改进后的测量方式 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 注释 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
（8）半导体产业的国际转移研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 半导体产业概述 |
| 1.1 半导体产业相关概念介绍 |
| 1.1.1 半导体基本定义 |
| 1.1.2 半导体产品类别 |
| 1.2 半导体产业主要特性 |
| 1.3 半导体产业世界格局 |
| 1.3.1 美国主导优势明显 |
| 1.3.2 日本赶超势头猛烈 |
| 1.3.3 韩国、台湾的崛起 |
| 第二章 国际产业转移相关理论评述 |
| 2.1 经济学理论中涉及国际产业转移的理论述评 |
| 2.1.1 产品生命周期理论 |
| 2.1.2 雁行形态理论 |
| 2.1.3 劳动密集型产业转移理论 |
| 2.1.4 边际产业扩张论 |
| 2.2 国内外研究现状 |
| 2.3 本文研究目的及方法 |
| 2.3.1 研究目的 |
| 2.3.2 本文理论基础——基于“设计思想”的比较优势理论 |
| 第三章 半导体产业的国际转移轨迹研究 |
| 3.1 半导体产业的形成——创新国美国的绝对优势 |
| 3.1.1 萌芽期:晶体管部件时代(1950～1960) |
| 3.1.2 发展期:大型计算机时代(1960～75) |
| 3.1.3 形成期:小型计算机、IC部件时代(1970～85年) |
| 3.2 第一次转移——从创新国美国向日本的转移 |
| 3.2.1 产业背景及产品特点 |
| 3.2.2 “制法革新”下日本半导体产业的赶超 |
| 3.3 第二次转移——从日本向韩国的转移 |
| 3.3.1 DRAM领域韩国半导体产业的兴起 |
| 3.3.2 DRAM市场竞争力变化下的产业国际转移 |
| 3.4 第三次转移——从美国向台湾的转移 |
| 3.4.1 ASIC产品时代半导体产业结构的变化 |
| 3.4.2 以专业代工为切入点的台湾半导体产业的发展过程 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 半导体产业国际转移机制研究 |
| 4.1 韩国的垂直一体化发展模式 |
| 4.1.1 韩国企业在半导体产业中的定位 |
| 4.1.2 半导体市场三星电子的技术追赶期(1972～1989) |
| 4.1.3 DRAM市场变化下三星电子竞争优势的形成(1990～) |
| 4.2 台湾的水平分工发展模式 |
| 4.2.1 产业结构变化的原因——半导体产业竞争力焦点的变化 |
| 4.2.2 半导体产业竞争力的形成—“Foundry”企业的带动效用 |
| 4.2.3 半导体产业政策对台湾半导体产业升级的推动 |
| 4.3 两种不同模式下的转移机制 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 新一轮半导体产业国际转移与我国的对策 |
| 5.1 新一轮半导体产业国际转移趋势 |
| 5.2 我国半导体产业发展现状 |
| 5.2.1 半导体设计业 |
| 5.2.2 半导体制造业 |
| 5.2.3 半导体封装测试业 |
| 5.2.4 半导体设备制造业 |
| 5.3 我国半导体产业发展策略与政策建议 |
| 5.3.1 我国半一导体产业发展战略与模式 |
| 5.3.2 我国培育半导体产业的政策与措施 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的科研成果及发表的论文 |
（9）第二次计算机革命（论文提纲范文）
| 微处理器问世 |
| 开启微机时代 |
（10）基于模块化的商务模式创新——以PC产业为例（论文提纲范文）
| 导言 |
| 第一节 什么是商务模式? |
| 第二节 本文的研究方法和结构 |
| 第一章 商务模式界面的价值分析矩阵 |
| 第一节 商务模式价值分析体系 |
| 第二节 商务模式客户界面价值分析矩阵 |
| 第三节 商务模式内部构造价值分析矩阵 |
| 第四节 商务模式伙伴界面价值分析矩阵 |
| 第二章 模块化的商务模式创新 |
| 第一节 商务模式是复杂系统 |
| 第二节 模块化的内涵与意义 |
| 第三节 商务模式的模块化 |
| 第四节 模块化的商务模式创新 |
| 第三章 英特尔公司商务模式创新分析 |
| 第一节 PC产业商务模式的前提条件 |
| 第二节 英特尔公司商务模式价值分析 |
| 第三节 英特尔公司商务模式创新演化 |
| 第四章 微软公司商务模式创新分析 |
| 第一节 微软公司商务模式价值分析 |
| 第二节 微软公司商务模式创新演化 |
| 第五章 戴尔公司商务模式创新分析 |
| 第一节 戴尔公司商务模式价值分析 |
| 第二节 戴尔公司商务模式创新演化 |
| 第六章 论文结语 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、英特尔公司晶片发展史（论文参考文献）
- [1]核心与平台 英特尔的成功之路[J]. 汪新波. 中国新时代, 2012(12)
- [2]光子芯片简易制造[J]. 蔡立英. 世界科学, 2012(05)
- [3]信息垄断：信息技术革命视阈里的当代资本主义新变化[D]. 鄢显俊. 云南大学, 2010(08)
- [4]“硅谷的艾森豪威尔”——罗伯特·诺伊斯[J]. 方兴东,王俊秀. 名人传记(财富人物), 2010(09)
- [5]浅槽隔离中的氧化层缺陷解决方案的研究[D]. 王燕军. 上海交通大学, 2010(10)
- [6]半导体企业PD的技术转移[D]. 黄健. 复旦大学, 2009(12)
- [7]离子注入中金属污染的防治措施[D]. 曹鸣. 上海交通大学, 2008(09)
- [8]半导体产业的国际转移研究[D]. 邹蓉. 广东外语外贸大学, 2008(04)
- [9]第二次计算机革命[J]. 金烨. 中国计算机用户, 2008(12)
- [10]基于模块化的商务模式创新——以PC产业为例[D]. 赖国伟. 厦门大学, 2004(04)