一、石墨微晶粉末系统磁阻研究（论文文献综述）
李淑荟[1]（2021）在《低维材料的分子束外延生长及性能研究》文中指出二维层状材料是近年来凝聚态物理研究的热点,不仅在各个应用领域表现出突出的性能,而且还展现出各种新奇的物理现象。具有类黑磷的折叠蜂窝状结构特征的过渡金属单硫族化合物MX（M=Sn,Ge;X=Se,S）,因为具有各向异性的结构特征表现出各向异性的电学,光学,力学和热学特征而备受关注。Sn S是一种环境友好型材料,原料来源丰富,具有良好的化学稳定性。研究二维半导体内部光生载流子的产生,分离和复合过程,对于我们理解发光器件本质物理机制,以及有目的提升器件的性能是非常有意义的。MX是一类宽带隙的层状半导体材料,关于它们超快光谱研究的报道并不多见。Co3Sn2S2是一个磁性Weyl半金属,其拓扑的能带结构是近几年来凝聚态物理领域研究的热点话题。理论预言低维Co3Sn2S2能够实现量子化的反常霍尔效应,分子束外延技术在制备低维材料方面具有突出的优势。本论文的主要工作就是使用超高真空分子束外延技术探索生长高质量的层状Sn S连续薄膜以及Co3Sn2S2薄膜。之后使用飞秒时间分辨的瞬态吸收光谱研究Sn S薄膜在光激发后的载流子动力学过程,以及对Co3Sn2S2薄膜进行电学和磁学输运性能表征。论文主要是以下几个组成部分:第一部分是利用MBE方法,以单质Sn和S作为原料,在Sr Ti O3、云母等衬底上生长出高质量大面积纳米级厚度的Sn S连续薄膜,并使用各种分析手段,包括AFM,XRD,XPS,Raman,STM,对其成分、结构进行表征。我们摸索出两种制备纯净Sn S的方法,直接一步生长法和一步生长法加上后期高温退火处理。另外我们通过表面硫化处理过程,成功制备出Sn S2/Sn S垂直异质结结构,并通过“退硫化”操作实现将Sn S2/Sn S异质结重新还原为单晶Sn S,完成Sn S2/Sn S异质结可控可逆的制备。第二部分是使用飞秒时间分辨的瞬态吸收光谱技术研究透明氟晶云母衬底上的Sn S薄膜的载流子动力学。通过对厚度依赖的载流子寿命的研究,我们发现激发态载流子弛豫寿命随着厚度呈指数增加关系,缺陷辅助的表面电子-空穴复合限制了光激发载流子的寿命。最终我们总结出Sn S薄膜中光激发载流子的跃迁、弛豫的总过程。第三部分内容我们对叠加在载流子弛豫时间曲线上的相干声子的振荡信号进行分析研究。在泵浦功率密度依赖的振荡振幅和周期的研究结果中,相干光学和声学声子的振荡周期几乎都不随着泵浦功率的变化而变化,且振荡振幅和泵浦功率都是正相关的线性关系。这一结果表明在Sn S体系中,脉冲激光诱导的相干光学和声学声子可能具有一样的产生机制。第四部分的主要工作是使用同一套分子束外延设备成功生长出纳米级厚度（15nm）的Co3Sn2S2多晶薄膜。电输运测量揭示了其磁性Weyl半金属的特征,包括较大的反常霍尔电导率(649Ω-1 cm-1)和反常霍尔角（11.4%）。磁阻曲线中明显的磁滞现象源于电子在磁畴间的散射效应。
王洪辉[2]（2021）在《拓扑和关联电子体系中新型热电材料的探索及其输运性质的研究》文中研究表明目前人类正面临着能源短缺和环境污染的挑战,热电材料作为一种可实现热能和电能之间相互转换的清洁能源,一直备受关注。自从热电材料概念提出以来,热电材料已经被人们研究了近百年。但是由于较低的热电品质因数即较低的热电转换效率,热电材料目前仍然不能被大规模的应用。热电材料的发展主要经历了两个阶段。第一个阶段是能带理论提出之后,人们有了半导体的概念,随着半导体领域研究的兴起,热电材料也有了飞跃的发展。第二个阶段是科学家们基于传统的窄带隙的半导体可能是好的热电材料的思想进一步提出了“量子约束”和“电子晶体声子玻璃”的概念。目前主要的热电材料仍然集中在窄带隙半导体中,而且近些年其热电品质因数增长缓慢,所以想要进一步增加热电材料的热电品质因数,需要新的材料体系或者新的物理驱动力。在本文中,我们主要研究了拓扑材料和关联电子材料的热电性能及相关输运性质。主要针对的材料体系是狄拉克半金属Cd3As2和关联电子材料EuMnSb2。在Cd3As2中,我们发现其具有强各向异性的磁热电品质因数。当磁场分别平行于[112]和[100]晶向时,最大的磁热电品质因数相差了接近2.5倍,其主要原因是强各向异性的磁阻,即在不同晶向达到量子极限所需要的磁场不同。磁场平行于[112]晶向的磁热电品质因数与零场下的热电品质因数相比,在最大值温度时,从0.2增加到了 1.19提高接近6倍。随后为了进一步提高Cd3As2的磁热电性能和研究其物理机理,我们生长了不同载流子浓度的Cd3As2样品,通过对量子振荡的数据的分析,我们得到了不同载流子浓度样品费米能级相对于狄拉克点的位置。通过电阻率、热电势以及热导率的测量,我们发现随着费米面远离狄拉克点,Cd3As2的磁热电性能逐渐增加,但随之其对应最大磁热电品质因数的磁场和温度也随着提高。我们也发现双极化效应/狄拉克液体行为可能是促使磁热电品质因数在低温达到峰值的原因。同时我们也发现在这个体系中由于小角散射导致体系有极小的洛伦兹常数。我们的研究阐述了磁场对于提高拓扑量子材料的热电性能的重要性和为研究拓扑量子材料的热电性能开辟了新的途径。在材料EuMnSb2中,我们发现了自旋熵增强的大的热电势,大的热电势只有在Eu2+反铁磁转变温度（TN）以上才能被观察到,并且在反铁磁有序态完全淬灭。此外,一个明显的磁场依赖的热电势仅仅在TN以上能被观察到,这进一步支持了在TN以上自旋熵增强了热电势。这个工作为通过引入自旋自由度来提高材料的热电性能提供一个新的范式。除此之外,在文章第五章我们也利用热输运对Mn（Bi1-xSbx）2Te4的反常输运行为进行了研究,阐述了双极化效应对拓扑绝缘体输运性质的影响。在文章最后一章我们对强磁场下FeSe的电输运行为进行了研究,阐述了强磁场对于研究FeSe超导机理的重要性。本文共分为以下六章:1.绪论在本章中,我们首先介绍基本的热电效应和磁热电效应（热磁效应）的原理,以及衡量热电材料好坏的热电品质因数的定义和其对应的能量转换效率,此外我们根据热电参数之间的耦合关系讨论了调节热电品质因数的基本方法和目前热电材料的发展状况、前景和重要意义。最后我们会介绍一下相对于传统半导体热电材料而言,探索新型热电材料（包括拓扑热电材料和关联电子热电材料）对于进一步改善材料热电性能现状的重要意义。2.拓扑半金属Cd3As2各向异性的磁热电性能热电材料能被用来进行热和电的相互转换。在这一章我们研究了拓扑半金属Cd3As2各向异性的磁热电性能。我们发现在磁场下功率因子的增加和热导的减少同时发生。从而导致热电品质因数有很大程度上的提高。与磁场平行于[100]晶向对比,磁场平行于[112]晶向时的热电品质因数增加的更加明显,在350K温度7特斯拉的磁场下,磁场平行于[112]晶向的热电品质因数增加到了1.1（0特斯拉磁场时=0.17）,大约增加了 6倍。针对实验数据,我们也进行了理论计算,理论计算结果认为热电品质因数剧烈的增加的本质来源于线性的狄拉克能带的特性和电子热导在总热导中占大的比重。我们的实验结果也为大幅度提高量子拓扑材料的热电性能开辟了一条新途径。3.不同载流子浓度的狄拉克半金属Cd3As2的磁热电性能基于第二章的实验结果,本章研究了不同载流子浓度的Cd3As2在磁场平行于[112]晶向时的磁热电性能。所有载流子浓度的晶体的磁热电性能都表现出随着温度的增加而增加,并且在达到一定温度时会由于热导的剧烈增加而达到了极大值。随着载流子浓度的增加,磁热电品质因数的最大值逐渐增加,同时对应最大值的温度、磁场也逐渐增加。我们也论述了高温热导的反常增加的可能原因是双极化效应或者是狄拉克液体行为。最大的热电品质因数出现在450K,9特斯拉的磁场下,其数值是1.24。大的磁热电性能出现的原因除了线性色散的能带以外,小角散射以及电子热导在总热导中占主导也起到了重要作用。本章的实验结果将有助于优化量子拓扑材料的热电性能。4.在反铁磁EuMnSb2中自旋熵增强的大的热电势对于传统的热电材料（半导体热电材料）一般我们只考虑电荷和晶格自由度作为决定材料热电性能的关键因素。在强关联材料体系中,通过引入电子与电子之间的相互作用,自旋/轨道自由度被预测可以显着的提高材料自身的热电势。然而,自旋熵增强的大的热电势的直接证据在实验中仍然难以找到。在这一章中,我们在反铁磁体EuMnSb2中成功地观察到一个由自旋熵增强的大的热电势。只有在Eu2+形成的反铁磁转变温度（TN）以上才能观察到大的热电势,并且大的热电势在进入Eu2+形成的反铁磁有序态时完全淬灭,这明确表明了 Eu2+的自旋熵是TN以上大的热电势的起源。此外,一个明显的磁场依赖的热电势仅仅在TN以上被观察到,这进一步支持了在TN以上自旋熵增强了热电势。通过测量Eu2+的自旋熵,Eu2+的自旋熵和磁场依赖的热电势之间的紧密关联也被揭示。本章的工作将为通过引入自旋自由度来提高材料的热电性能提供一个新的范式。5.反铁磁拓扑绝缘体Mn（Bi1-xSbx）2Te4中双极化效应诱导的反常电阻行为MnBi2Te4作为第一种本征的磁性拓扑绝缘体已经吸引了广泛的关注。但是由于其本身是重电子掺杂的,很难去观测其表面态的性质以及进一步电子应用,所以我们必须调控其载流子浓度。在这一章,我们系统的研究了Mn（Bi1-xSbx）2Te4（0<x<0.51）单晶的电阻率,热电势以及热导率。我们发现随着锑含量的增加,载流子浓度在室温能被连续调控从-9.47×1019到5.21×1019cm-3。在费米能级位于体态能隙中时,电阻率,热电势以及热导率在确定的温度T*附近都表现出反常行为。我们的实验结果认为双极化效应可能起到重要的作用在拓扑绝缘体中（费米能级位于能隙内）。6.FeSe单晶强磁场下的电输运行为理解正常态电子的性质是至关重要的对于理解非传统超导体的超导机理。在这一章,通过对FeSe单晶施加高达37特斯拉的强磁场,在超导被完全压制后我们观察到了正常态的输运性质。正常态电阻在低温表现出费米液体行为。在磁场平行于c方向,在向列液晶相转变温度以下观察到了大的轨道磁阻,在磁场平行于ab面时,轨道磁阻几乎为0。在10～25K以下轨道磁阻表现出反常的减小,同时违反了科勒定则,这可能是和自旋涨落相关的。我们的实验结果认为:自旋涨落在正常态输运中起到重要的作用,尽管在低温表现出费米液体的行为。
刘财兴[3]（2021）在《二维范德瓦尔斯磁性材料的制备及其磁性研究》文中提出19世纪以来,随着磁学研究的巨大突破,磁性材料走进了人们生产生活的方方面面。面对如今日益增长的信息化需求,制备更薄、更高密度、更低功耗的磁性器件成为电子工业发展的大趋势。近年来,二维范德瓦尔斯（vdW）磁性材料,因其可解理的层状结构和可在原子层厚度保持稳定的磁性,逐渐成为人们研究二维磁性和实现低维磁性器件的绝佳平台。然而,较低的转变温度和较少的磁性调控研究限制了二维vdW磁性材料的发展。本论文聚焦于二维vdW磁性材料,通过引入缺陷、机械剥离和转移堆叠的方式,分别实现了二维非本征磁性、本征磁性材料和磁性异质结的制备,并主要通过光学手段对其磁性起源、磁性耦合和磁性应用进行了深入研究。本论文的主要研究内容如下:（1）石墨基磁性纳米片的制备及磁性研究。首先,通过一步伍尔兹反应合成了毫克量级具有室温铁磁性的石墨纳米片,其室温磁性达到0.22 emu/g,比已报道的缺陷石墨磁性大两个量级,并通过可控实验和第一性原理计算证明了其室温磁性来源于石墨的锯齿形边缘态,进一步改变制备条件,可以得到不同结晶尺寸和磁性的石墨纳米片。其次,在高温条件下直接通过氟气氟化大尺寸石墨,得到约为300微米的铁磁性氟化石墨,对其进行机械剥离后制备出铁磁性的氟化石墨纳米片,并用自主搭建的低温磁光克尔显微镜对其磁性进行了表征,发现其磁性的大小与氟化程度有一定依赖关系。最后,尝试了磁场下硼掺杂石墨纳米片的合成,发现磁场只能轻微提高硼的掺杂含量,无法诱导出铁磁性,进一步磁场下置换反应的研究,给出了磁场影响化学反应和材料合成的因素,为以后磁场下合成二维磁性材料提供了实验依据。（2）二维本征铁磁Fe3GeTe2的交换偏置与磁性耦合。通过机械剥离Fe3GeTe2的vdW块体,得到具有铁磁性的Fe3GeTe2纳米片,然后借助机械按压,在单一 Fe3GeTe2纳米片中实现了交换偏置,该偏置现象表现出一定的厚度依赖,随着Fe3GeTe2厚度减小,最大可出现1000 Oe的偏置场,是目前vdW体系中相同测试温度下的最大偏置值。与传统薄膜体系的交换偏置类似,Fe3GeTe2的交换偏置也具有锻炼效应,偏置效应会在一定测试次数后消失。此外,通过二次谐波产生验证了具有交换偏置的Fe3GeTe2纳米片有反铁磁耦合,进一步实验表明Fe3GeTe2中交换偏置与反铁磁信号具有一致的变温和变场依赖关系。结合理论计算认为是机械按压使得Fe3GeTe2纳米片的层间距减小,诱导部分铁磁转变为反铁磁,从而出现交换偏置现象。该实验结果为实现二维vdW体系的交换偏置和磁性器件提供了思路和参考。（3）二维发光/磁性材料异质结的制备及发光调控。首先,通过转移堆叠构建了 WSe2/BN异质结,研究了无磁性材料氮化硼（BN）对WSe2发光的调制作用,发现BN堆叠会引入缺陷能级,使得WSe2的发光机制发生巨大改变,从直接带隙为主的激子发光变成了间接带隙为主的缺陷发光,进一步实验发现真空退火可以减少甚至消除异质结的缺陷,使得WSe2回归到本征发光。然后,以Fe3GeTe2为磁性层,构建了 WSe2/Fe3GeTe2异质结。通过增加Fe3GeTe2纳米片的厚度,可以较大范围的调控异质结中WSe2的发光,使其相对于单层WSe2出现从红移到蓝移的转变,进一步变温实验发现当异质结温度降低到Fe3GeTe2的转变温度以下时,红移和蓝移现象都会得到增强。该现象为以二维vdW磁性材料为基础的磁性器件应用提供了思路与实验基础。
李延杰[4]（2020）在《几种新型磷族量子材料的低温物性研究》文中认为量子材料是近年来凝聚态物理学中对具有层展现象的各类材料的一个总体描述,包括超导体,自旋液体,重费米子,拓扑绝缘体,拓扑半金属等。磷族化合物具有丰富的结构,在温度,磁场,压力的调控下可展现丰富的物性。我们课题组在磷族量子材料研究方面具有丰富经验,重点关注新超导体和新拓扑非平庸材料。本论文主要对若干磷族量子材料进行了研究,主要结果包括:1.采用固相反应法生长制备了La3Cr10-xN11多晶样品,它与立方氮化物Pr3Cr10-xN11具有相同的晶体结构。电阻数据表明它是一个超导转变温度为4.6 K的超导体,磁化率和比热数据证实了它的体超导性。La3Cr10-xN11的上临界场Hc2为12.2 T超过了泡利顺磁极限。电子结构理论计算结果显示材料在费米能级处的态密度主要是由Cr的3d电子贡献的,因此它是新的铬基超导体。然而通过替换稀土元素得到的Ce3Cr10-xN11与La3Cr10-xN11和Pr3Cr10-xN11不同,在1.8 K以上没有观察到任何的超导迹象。2.采用助熔剂法合成了高质量的CaMn2P2单晶样品,该材料与铁基122系列超导体不同,呈三方CaAl2Si2型晶体结构,基态为绝缘体态。磁化率测量结果显示400 K以下样品没有发生磁性相变,不具有大的有序磁矩。与其他具有相同结构的AMn2Pn2（A=Ca,Sr,Ba,Pn=P,As,Sb）不同,比热和电阻数据显示CaMn2P2在69.5 K有一个一级相变,此相变不受磁场影响,且相变温度随压力的增大而升高,10 GPa以内未能将其金属化。低温下新出现的拉曼峰表明相变之后晶体的对称性发生了变化。结构,输运,热学和磁学性质表明CaMn2P2在相变前后均为具有关联效应的绝缘体。3.采用助熔剂法合成了高质量的SrAs3单晶样品,该材料被预言为拓扑节线环半金属,其晶体对称性低,为单斜结构。我们采用聚焦离子束加工技术,制备一系列器件,可以确保电流沿不同的主轴方向,并用于低温强磁场下的电输运研究。器件上测得数据与单晶上的数据一致。我们明确得到了SrAs3电阻率的各向异性,并通过磁电阻上的量子振荡确定了该材料的体费米面。结合量子振荡与霍尔数据,SrAs3具有多种载流子,载流子浓度低同时迁移率高,与其他拓扑半金属类似。但是,在磁场沿a轴和c轴方向时,我们均观察到了明确的负纵向磁电阻。在排除其他可能因素后,我们认为该纵向负磁电阻应该是由SrAs3中存在受拓扑保护的能带节线环导致的。
孙冰[5]（2020）在《新型有机-无机杂化钙钛矿的合成与自旋器件研究》文中认为自旋电子学器件可以提高传统电子器件的效率并赋予它们新功能,成为当前的研究前沿。有机自旋电子学的研究受到了材料发展的制约,设计并合成具有明确结构和优良自旋调控特性的新型功能材料成为有机自旋电子学研究的重要挑战。有机-无机杂化钙钛矿结构整合了有机材料和无机材料的诸多优势,如有机材料的结构多样性、功能性,及无机材料的磁性、高载流子迁移率,使其成为设计并合成新型功能材料的理想平台。然而,基于钙钛矿结构的磁性材料以及与自旋相关的器件探索尚处于起步阶段。本论文以面向未来自旋电子学研究所需的功能材料为目标,设计合成了一系列新型二维有机-无机杂化钙钛矿铁磁体材料,并探索其在各种器件中的应用。通过精准调控有机铵离子、金属离子和卤素的的种类,探究了这些材料的白光发射、热致变色、手性、铁磁性和铁磁共振等性能。进一步,制备了场效应晶体管、光探测器和自旋器件,获得了良好的器件性能。本论文为利用钙钛矿结构创造新型功能材料,特别是热致变色铁磁体、手性铁磁体提供了新的策略,为进一步开发应用于自旋电子学的磁性材料奠定基础。论文主要内容如下:第一章:对有机-无机杂化钙钛矿材料的发展历史、分类以及组成进行了综述与探讨。重点阐述了有机-无机杂化钙钛矿材料的功能性,探讨了钙钛矿材料在光电领域以及磁学领域的研究进展,总结了钙钛矿材料在自旋电子学领域的研究现状。在此基础上,形成了本论文的选题思路及研究意义。第二章:合成了两种新型二维杂化钙钛矿（（PED）CuCl4和（BED）2CuCl6）,发现二者表现出可逆的热致变色行为,显着的随温度变化的电导率变化和强铁磁性。温度变化时,（PED）CuCl4和（BED）2CuCl6晶体的颜色在黄棕色和红棕色之间发生可逆的变化。（BED）2CuCl6的热致变色工作温度达到443K。（BED）2CuCl6的电导率随温度的变化超过6个数量级。磁学测试表明,（PED）CuCl4和（BED）2CuCl6为铁磁物质,居里温度约为13K。将多种刺激响应特性整合到二维杂化钙钛矿中将大大拓宽其应用范围,并且有望为光电和传感器件中的潜在应用提供新型功能材料。第三章:首次合成出新型二维杂化钙钛矿手性铁磁体。通过在钙钛矿结构中引入手性铵离子,合成了两种新型手性钙钛矿（R-MPEA）2CuCl4、（S-MPEA）2CuCl4和（rac-MPEA）2CuCl4。磁学测试结果表明它们为手性铁磁体,饱和磁化强度达到12.5 emu g-1,为目前钙钛矿磁体中的最高值。我们进一步成功表征了钙钛矿材料体系的磁手性二色性,表明此类材料具备磁光器件上的应用潜力。本工作是钙钛矿手性铁磁体的首次成功合成,为构建新型多功能手性铁磁体开辟了一条新途径,突显了开发新一代基于钙钛矿的自旋电子学的潜力。第四章:设计并合成出一系列的新型二维杂化钙钛矿,表现出白光发射与场效应性能。其中（BED）PbBr4色度坐标为（0.34,0.44）,接近于理想的白光发射体（0.33,0.33）。进一步研究了 PEA/PED/BED等有机胺组分对材料发光与导电性质的影响,通过将Pb替换为Sn,实现了材料带隙的减小,构筑了场效应晶体管。本工作为利用钙钛矿材料同时实现白光发射与场效应性质提供了新的思路。第五章:制备了 MAPbI3/PCDTPT复合物的柔性近红外光探测器,表现出快速的光响应性、可重复性与优异的稳定性。通过MAPbI3单晶与PCDTPT的复合,实现了比薄膜更高的器件效率。研究了基底温度对钙钛矿薄膜形貌的控制,并分析了入射光波长与能量对器件响应度的影响。第六章:以铁磁性的（BED）2CuCl6作为研究对象,制备了基于（BED）2CuCl6/Pt的逆自旋霍尔器件,系统研究了温度、频率、Pt厚度对铁磁共振信号的调控,分析了铁磁共振的线宽与共振场的变化规律。在此基础上,制备了基于MAPbBr3晶体的Hall效应器件,表征了载流子的迁移率。最后,构筑了基于有机高分子PBTTT的逆自旋霍尔效应器件,初步研究了器件的铁磁共振现象,总结了线宽和共振场随频率的变化规律。
李艳敏[6]（2020）在《基于铜及钴的氧族纳米复合材料的载药行为及电催化研究》文中研究表明近年来,癌症在中国的发病率和死亡率呈持续上升的趋势,癌症已成为主要死亡原因之一。在癌症治疗中大部分的抗癌药物具有杀死其他正常组织细胞的危害,为了降低药物的毒副作用并发挥药物本身的最大疗效,往往需要采用特殊的载体来解决这个问题。目前研究的热点是利用单原子及异质结构的纳米材料（高载药率、可控的粒径、缓释）负载抗癌药物阻止癌细胞的扩散达到靶向治疗的目的。催化剂Fe3O4在酸性环境下（癌细胞）能有效的引发肿瘤特异性原位Fenton反应导致癌细胞凋亡。另外在无外界刺激或低氧的条件下,析氧反应（OER）能催化细胞内的生化反应产生高活性的单线态氧或ROS抑制或杀死肿瘤细胞。再者析氧反应又能产生清洁,绿色的能源来减少化石燃料的消耗。因此,医药纳米材料与催化默默地建立联系。近年来,无机非金属纳米材料引起了广泛的关注,本研究以氧化亚铜的立方体微晶为模板,在常温搅拌条件下引入磁性元素钴,制备出空心多孔CuO立方体负载片状钴化合物的复合材料。考察立方体钴化合物负载抗癌药物在不同pH值下的释放性能,载药量以及生物相容性等性质。同时,引入少量的硫元素于该钴化合物材料中,制备出优异的电催化剂。主要研究内容如下:1.以氧化亚铜立方体微晶为模板,氯化钴水溶液为钴源,氢氧化钠为诱导剂,在Cu2O立方体的表面上进行原位自组装,在常温条件下获得具有磁性的CuO@Co O-x（其中x为氧化亚铜和氯化钴的摩尔比）复合材料。其中,通过能量色散X射线光谱（EDX）分析、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等表征手段,确定了当x为0.2时,得到了具有大量介孔（5-30 nm）的纳米材料。这样有利于溶液的浸润,提高载药量,具备作为药物载体和析氧催化的潜力。2.利用溶剂挥发法将5-氟尿嘧啶装载于上述所制备出的CuO@Co O复合物中,通过XRD、TEM、SEM等表征手段对成功负载原料药5-氟尿嘧啶进行确证。并研究此材料在不同pH值溶液中对5-氟尿嘧啶的吸附和释放性能,当负载在CuO@CoO-2上后,载药量可达48.87%,并且释放实验结果表明,在pH=7.4的介质中CuO@CoO负载不仅延长了溶出时间,而且增加了溶出度,达到缓慢释放的效果且具有pH依赖性,远优于单纯的5-氟尿嘧啶。接着我们评价了药物的稳定性以及抗炎效应。后续研究了材料的溶血性实验,结果表明当在25-100μg/ml的浓度范围内,载体材料对红细胞的毒性较小,从而具有较好的生物相容性。另外探究了材料的细胞毒性,结果表明:在浓度小于25μM时,对RAW 264.7细胞没有明显的毒性。3.以氧化亚铜微晶为模板,通过原位置换及化学沉积的方法在其表面来引入硫和钴元素,首次制备出花状的纳米复合材料,探究其在碱性条件下析氧反应（OER）的催化性能。通过SEM、TEM、XRD和XPS等表征手段。表明所得样品类似于七色花状并由Cu2S和CoO组合而成的复合材料;在电化学测试中,Cu2S@CoO-2可作为一种高活性的OER电催化剂,其在0.1 M KOH溶液中10 mA cm-2的电流密度处的过电位仅为0.280 V,相应的Tafel斜率值仅为88 mV dec-1,显着低于其他对比样品,可与商业RuO2催化剂相媲美。同时,Cu2S@CoO-2催化剂具有很高的稳定性。
李久庆,秦勇,陈义林,师庆民,郑长东[7]（2020）在《我国煤基石墨资源与制烯潜力》文中认为煤基石墨是石墨的重要组成部分,兼具金属和非金属的优良特性,是新兴产业的重要原材料。我国煤基石墨资源储量丰富,开发利用程度低,资源应用潜力巨大。基于当前煤基石墨勘探开发取得的重要成果及现代分析测试技术方法,探讨了接触变质作用叠加岩浆流体热作用的煤基石墨成因机制和演化规律。借助HR-TEM、XRD、Raman及磁阻等测试方法分析了煤基石墨结构表征参数,综合前人以成分指标H/C和结构指标中晶面间距d002及拉曼积分面积比R2划分煤基石墨与无烟煤的具体值,结合国家政策导向和煤基石墨原材料资源优势及石墨烯采选制备工艺方法,参照太西煤制烯的转化工艺提出以煤基石墨为前驱体制备石墨烯的构想。
徐玉华[8]（2019）在《FeSiBPCu合金粉体的制备及其软磁性能研究》文中进行了进一步梳理电子设备的小型化、轻量化、高频化电子信息技术的发展,对磁粉芯提出了更高的直流叠加特性要求;提高粉体的饱和磁化强度（Ms）值是提高其磁芯粉直流叠加特性以及粉体的snoke极限的有效途径。本文以提高粉体的Ms值为出发点,首先较系统地研究了FeSiBPCu合金粉体的制备技术,以及磷（P）含量对其形貌和XRD的影响;其次采用模压成型工艺,制备了FeSiBPCu合金粉体磁粉芯,研究了磁粉芯的软磁特性;然后结合Ms值要求,系统地研究了FeN化合物粉体的盐浴氮化制备工艺,并成功地制备出了单相为ε-Fe(SiBP0.5Cu)3N相的片状粉体;依次研究了FeSiBPCu、Fe(SiBP0.5Cu)N合金粉体在0.3-8.5GHz的吸波性能,最后采用机械合金化方法制备了石墨烯/FeSiBP0.5Cu复合粉体,优化了其吸波性能。（1）在FeSiBPCu合金粉体制备方面:开发了“中频熔炼技术+“3D打印”+振动球磨工艺”组合技术,成功地制备了片状FeSiBP0.5Cu合金粉体,以及多角形FeSiBP2Cu合金粉体以及FeSiBP5Cu合金粉体。当合金粉体中P含量=0.5wt%时,合金相结构单相固溶体（α-Fe（P））,经过振动粉碎后为薄片状粉体;当P含量≥2.0wt%时,经过振动粉碎后为多角形粉体;P含量为0.5wt%的FeSiBPCu合金粉体具有最高的饱和磁化强度（Ms=148emu/g）,随着P含量的增加,合金粉体的Ms下降。（2）在磁粉芯制备与性能方面,研究了P含量对磁粉芯性能的影响。P含量为0.5wt%的FeSiBPCu磁粉芯具有最佳的软磁性能。通过调整A粉（100200目）与B粉（200300目）的配比,可以提高磁粉芯密度。磁粉芯ρ=6.02g/cm3是磁粉芯的“逾渗阙值”。FeSiBP0.5Cu磁粉芯中A/B粉=5:5、包覆剂掺量为合金粉体的2.0wt%、ρ=6.15g/cm3,经过450℃×1h退火热处理后,达到最佳综合软磁性能。其有效磁导率53,并且在外加直流磁场强度作用下,磁粉芯的磁导率保持率70%（50Oe）,44%（130Oe）与Fe-Si-Ni磁粉芯在100Oe时磁导率保持率相当。（3）在粉体氮化制备方面,以片状FeSiBP0.5Cu合金粉体为铁源,以无毒性的尿素为氮源,通过盐浴氮化反应法成功地制备出了单相ε-Fe(SiBP0.5Cu)3N片状粉体。盐浴氮化反应法制备单相ε-Fe(SiBP0.5Cu)3N粉体最佳氮化工艺条件为:氮化温度为550℃、氮化时间为60min,其饱和磁化强度高达126emu/g;该粉体具有良好的热稳定性和磁温特性:在失重拐点温度486℃以前具有良好的温度稳定性;当温度从300K升至454K时,饱和磁化强度下降幅度仅约为10%,当温度继续升高至600K时,其饱和磁化强度仍然高达近90emu/g,性能明显优于纳米ε-Fe3N粉体;（4）在粉体吸波性能方面,研究了P含量对FeSiBPCu合金粉体吸波性能的影响,P含量为0.5wt%的FeSiBPCu合金粉体具有最佳的吸波性能。在0.3-8.5GHz频段,粉体的介电常数ε′为1612,磁导率μ’为41,电磁损耗tanδ值为1.0-1.2（6.0-8.5GHz频段）。在6.08.5GHz频段,粉体的干涉厚度约2.5mm,具有较强的干涉吸收效果;FeSiBP0.5Cu合金粉体经过氮化处理后,介电常数ε′提高了2.4倍。经500℃×60min氮化后,在0.38.5GHz频段内,电磁损耗tanδ达到0.941.18。（5）通过高能球磨工艺成功地制备了（0.31.0wt%）GR/FeSiBP0.5Cu复合粉体。石墨烯的掺入使得μ′在0.3GHz1GHz频段上提高了50%,介电常数ε′在0.38.5GHz频段上提高了50%;球磨时间为24小时、石墨烯掺量为1%的复合粉体吸波性能最佳,在0.38.5GHz上,磁导率μ′为7.31.0,磁损耗角正切为0.483.46,介电常数ε′为182.418.2,损耗角正切值高达5.288.60,表现出了优异的吸波性能。
张继君[9]（2018）在《化学镀Ni-Cu-P对Fe基非晶合金电磁屏蔽性的影响研究》文中进行了进一步梳理随着电子信息技术的高速发展,各种电子产品及器件日益增多,继而电磁污染日益加剧,急需发展“薄、轻、宽、强”的高效电磁屏蔽材料。金属材料具有高的电导率（铜、铝、镍等）和高的磁导率（纯铁、硅钢、坡莫合金、铁铝合金等）,是应用最广的电磁屏蔽材料。与聚合物/碳材料、MXenes电磁屏蔽材料相比,金属材料具有更优异的力学性能、更高的温度稳定性、良好的加工性能和出色的电磁屏蔽性能。然而,金属电磁屏蔽材料仍存在很多问题和挑战,如重量大、频带窄、大面积施工困难、难以屏蔽异形器件等。如何通过结构设计获得轻薄高效的金属电磁屏蔽材料是本论文研究的重点。针对以上问题,本学位论文展开了以下研究:（1）超薄柔性Fe-Si-B@Ni-Cu-P多层非晶复合材料的制备及其电磁屏蔽性能研究针对导磁金属材料高频电磁屏蔽性能差、厚度大等问题,以Fe-Si-B非晶软磁带材（牌号:1K101）为基底,通过化学镀的方法在其表面沉积了具有高导电性的Ni-Cu-P镀层,制备了具有“导电层/导磁层/导电层”结构的功能复合带材。由复合带材叠加、粘结而成的多层复合电磁屏蔽材料兼具优异的软磁性能、高的导电性和出众的电磁屏蔽性能。厚度仅为0.1 mm的该Fe基非晶电磁屏蔽复合材料在X波段（8-12 GHz）的电磁屏蔽效能高达42 dB,远超工业标准的20dB。同传统金属基电磁屏蔽材料相比,该多层复合材料兼具高的屏蔽效能和超薄的厚度。此外,该复合材料还拥有良好的耐腐蚀性、高的热稳定性、优良的机械性能和弯曲稳定性,使其在严苛环境下的电磁防护领域具有一定的竞争优势。（2）改性Fe基非晶涂层的设计及其电磁屏蔽性能研究为突破Fe基非晶电磁屏蔽材料的尺寸限制,以Fe-Si-B-P-Nb非晶软磁粉末为基底,采用化学镀的方法在其表面包覆一层导电的Ni-Cu-P镀层,制备出具有高温抗氧化能力且满足热喷涂要求的的核壳结构粉末。再利用活性燃烧高速燃气喷涂（AC-HVAF）技术,在铝板表面喷涂厚度为300400μm的Fe基非晶涂层。结果显示,在改性涂层内部均匀分布着大量高导电性的Ni-Cu-P相（厚100 nm,宽几十μm）,且氧含量较原始粉末制备的涂层低约1000 ppm。Ni-Cu-P改性涂层在X波段的屏蔽效能可达32 dB,比原始Fe基非晶涂层的屏蔽效能高1015 dB。其原因在于:改性的非晶改性涂层软磁性能更优异,且涂层内部Ni-Cu-P导电相与Fe基非晶相表现出更强的电磁相互作用,同时大量Ni-Cu-P相使涂层内部不连续界面增多,引起更多的吸收损耗和多重散射损耗,从而降低电磁波的能量。（3）Ni-Cu-P改性Fe基非晶粉末的抗氧化机制研究化学镀Ni-Cu-P可有效提高非晶粉末的高温抗氧化性,并降低热喷涂涂层的氧含量,是提高涂层电磁屏蔽性能的关键因素之一,但Ni-Cu-P改善非晶粉末高温抗氧化性的机制仍不清楚。针对这一问题,我们研究了化学镀时间、主盐浓度、Fe基粉末的成分和结构对改性粉末抗氧化性的影响。通过观测非晶粉末横截面形貌和成分分布随温度的变化规律,分析了非晶粉末的高温抗氧化机理。研究发现,原始非晶粉末的氧化是Fe元素向外扩散及O元素向内溶解的过程,氧化产物主要是Fe2O3。而在高温氧化气氛中,非晶改性粉末表面的Ni-Cu-P镀层可以有效的阻碍Fe元素和O元素的互扩散,从而避免改性粉末内部的Fe基粉末氧化。改性粉末的氧化主要是Ni-Cu-P镀层的氧化,随着氧化时间和温度的增加,氧元素逐渐向内扩撒,形成Ni和Cu的氧化物,及少量Fe的氧化物,Cu元素不断向外扩散,最终在镀层表面形成Cu2O,形成多层Ni和Cu的氧化物,从而有效避免Fe元素的氧化,提高了非晶粉末的高温抗氧化性。
朱旭坤[10]（2017）在《基于微晶石墨的石墨烯制备及其电磁特性研究》文中进行了进一步梳理为提高天然微晶石墨的深加工技术水平及附加值,同时也为满足“薄、轻、宽、强”新型吸波材料的需求,本文以微晶石墨为原料制备石墨烯,探讨了还原工艺对石墨烯结构和组成的影响,并对所制备的石墨烯电磁特性进行了研究,分析了微晶石墨烯的形成及其电磁波吸收机理,主要研究内容如下:1、研究了以微晶石墨为原料液相氧化还原法制备石墨烯的工艺流程。可制备出面积约2 μm2,碳原子层数多为3～4层,厚度约1.1 nm,碳氧原子摩尔比为6.5:1,电导率达358.423 S·m-1的微晶石墨烯。2、考察了化学还原法和溶剂热还原法对所制备石墨烯结构和组成的影响。结果表明采用溶剂热还原法和化学还原法均可有效地还原氧化石墨烯,其中,溶剂热还原法所制备的石墨烯片层厚度更小,碳原子层数更少,还原效果更好,内部缺陷程度更大。3、结合所制备石墨烯的微观形貌结构、晶体结构与元素组成,分析了从微晶石墨到氧化石墨烯再到还原氧化石墨烯的演变过程,其过程包括氧化、剥离和还原三个阶段。还原过程阶段对所制备石墨烯的质量控制影响显着。4、研究了溶剂热还原过程中乙醇浓度和反应温度对所制备石墨烯结构和组成的影响。结果表明反应温度主要影响石墨烯形貌结构,乙醇浓度主要影响石墨烯组成。随着反应温度的升高,石墨烯颗粒尺寸变小,边缘卷曲程度加深,石墨烯变得更易于团聚。随着乙醇浓度的提高,石墨烯中氧含量降低,碳氧原子的摩尔比增大,当乙醇浓度为50%时,其值为7.4:1。5、研究了乙醇浓度和反应温度对石墨烯电磁特性的影响。结果表明反应温度为180℃,乙醇浓度为40%制备的石墨烯具备较优吸波性能。当石墨烯质量分数为5%,厚度为4 mm时小于-5 dB和-10 dB的有效带宽分别为7.2 GHz和1.76 GHz,且存在双吸收峰,反射系数可达-11.17 dB。6、分析了微晶石墨烯复合材料的电磁波吸收机理,其电磁波耗散来源于两重Debye弛豫过程,分别是由石墨烯层状结构对电磁波的多重反射、内部缺陷和杂质形成的偶极子所引起的散射作用所致。本研究将为进一步提高微晶石墨矿产资源的综合利用率和深加工技术水平提供科学依据。
二、石墨微晶粉末系统磁阻研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、石墨微晶粉末系统磁阻研究（论文提纲范文）
（1）低维材料的分子束外延生长及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 层状材料 |
| 1.1.1 层状材料 |
| 1.1.2 过渡金属硫族化合物 |
| 1.1.3 IV主族单硫金属族化合物(MX,M=Sn,Ge;X=S,Se) |
| 1.2 二维层状半导体材料的超快光谱研究 |
| 1.2.1 光与半导体的相互作用 |
| 1.2.2 二维层状半导体材料的超快光谱研究和进展 |
| 1.3 相干声子 |
| 1.3.1 相干声子及其应用 |
| 1.3.2 相干光学声子产生机理 |
| 1.3.3 相干声学声子产生机制 |
| 第2章 实验技术和原理 |
| 2.1 实验仪器简介 |
| 2.2 分子束外延技术 |
| 2.2.1 超高真空技术 |
| 2.2.2 生长技术 |
| 2.2.3 外延生长原理和方法 |
| 2.3 原子力显微镜 |
| 2.4 超快载流子动力学的实验研究方法 |
| 2.4.1 飞秒时间分辨瞬态吸收光谱测试系统 |
| 2.4.2 飞秒时间分辨瞬态吸收光谱的原理 |
| 2.4.3 透射式瞬态吸收光谱 |
| 2.4.4 瞬态吸收光谱的信号类型 |
| 第3章 SnS薄膜的外延生长及基本特性 |
| 3.1 SnS的研究背景 |
| 3.1.1 SnS主要特征 |
| 3.1.2 SnS的制备回顾 |
| 3.2 SnS薄膜的生长 |
| 3.2.1 衬底的处理 |
| 3.2.2 SnS薄膜的分子束外延生长 |
| 3.2.3 SnS在 STO(100)衬底上的生长 |
| 3.2.4 SnS在 Nb-STO(100)衬底上的生长 |
| 3.2.5 SnS在云母衬底上的生长 |
| 3.3 Nb-STO(100)衬底上SnS_2/SnS垂直异质结 |
| 3.3.1 SnS表面硫化和脱硫 |
| 3.3.2 SnS及 SnS_2/SnS异质结的STM形貌特征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 SnS薄膜中的光激发载流子动力学 |
| 4.1 SnS超快载流子动力学研究现状 |
| 4.2 SnS薄膜光生载流子动力学 |
| 4.2.1 稳态吸收光谱和PL谱 |
| 4.2.2 瞬态吸收光谱 |
| 4.2.3 厚度依赖的载流子动力学过程 |
| 4.2.4 表面复合限制光激发载流子的寿命 |
| 4.3 载流子的激发、跃迁、弛豫过程总结 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 SnS薄膜中脉冲激光诱导的相干声子 |
| 5.1 飞秒脉冲激光诱导相干光学声子 |
| 5.2 飞秒脉冲激光诱导共振相干声学声子 |
| 5.3 泵浦功率依赖的振荡振幅和周期 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 磁性Weyl半金属Co_3Sn_2S_2薄膜的外延生长和输运性质 |
| 6.1 磁性Weyl半金属Co_3Sn_2S_2的研究背景 |
| 6.1.1 磁性Weyl半金属 |
| 6.1.2 反常霍尔效应和量子反常霍尔效应 |
| 6.1.3 Co_3Sn_2S_2 的研究进展 |
| 6.1.4 研究目的和内容 |
| 6.2 Co_3Sn_2S_2 薄膜的MBE生长 |
| 6.2.1 SrTiO_3(111)的处理 |
| 6.2.2 Co_3Sn_2S_2薄膜在STO(111)衬底上的生长 |
| 6.3 输运性质 |
| 6.3.1 输运测试方法 |
| 6.3.2 Co_3Sn_2S_2薄膜的磁性和电子传输性能 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（2）拓扑和关联电子体系中新型热电材料的探索及其输运性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 基本的热电效应和热磁效应 |
| 1.2.1 塞贝克效应、波尔帖效应以及汤姆逊效应 |
| 1.2.2 能斯特效应、埃廷斯豪森效应以及里纪-勒杜克效应 |
| 1.3 热电/热磁转换效率及无维度的品质因数 |
| 1.3.1 热电转换效率及无维度的品质因数 |
| 1.3.2 埃廷斯豪森制冷以及热磁品质因数 |
| 1.4 热电/热磁材料参数之间的耦合以及提高品质因数的方法 |
| 1.4.1 电阻率 |
| 1.4.2 塞贝克系数 |
| 1.4.3 热导率 |
| 1.4.4 能斯特系数 |
| 1.4.5 参数之间的耦合以及提高热电品质因数的方法 |
| 1.5 热电材料的研究现状 |
| 1.6 拓扑热电材料的研究进展以及发展前景 |
| 1.6.1 拓扑绝缘体和拓扑半金属简介 |
| 1.6.2 拓扑绝缘体及拓扑半金属的塞贝克热电性能 |
| 1.6.3 拓扑半金属的能斯特热电性能 |
| 1.7 关联电子材料作为新型热电材料的潜力 |
| 参考文献 |
| 第2章 拓扑半金属Cd_3As_2各向异性的磁热电性能 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验细节 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第3章 不同载流子浓度的狄拉克半金属Cd_3As_2的磁热电性能. |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验细节 |
| 3.3 实验结果及讨论 |
| 3.3.1 不同载流子浓度Cd_3As_2在零场下的输运性质 |
| 3.3.2 磁阻和SDH量子振荡 |
| 3.3.3 变化磁场下的热导和洛伦兹常数 |
| 3.3.4 不同载流子浓度Cd_3As_2晶体在变化磁场下的热电性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 反铁磁EuMnSb_2中自旋熵增强的大的热电势 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验细节 |
| 4.3 实验结果及讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 反铁磁拓扑绝缘体Mn(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_4中双极化效应诱导的反常电阻行为 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验细节 |
| 5.3 实验结果及讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 FeSe单晶强磁场下的电输运行为 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验细节 |
| 6.3 实验结果及讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（3）二维范德瓦尔斯磁性材料的制备及其磁性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维vdW磁性材料的种类 |
| 1.3 二维vdW磁性材料的制备简介 |
| 1.3.1 二维非本征磁性材料的制备 |
| 1.3.2 二维本征磁性材料的制备 |
| 1.3.3 二维vdW磁性异质结的制备 |
| 1.4 二维vdW磁性材料的磁性探测 |
| 1.4.1 光学探测手段 |
| 1.4.2 电学探测手段 |
| 1.4.3 力学探测手段 |
| 1.4.4 其他探测手段 |
| 1.5 二维vdW磁性材料的磁性调控与应用 |
| 1.5.1 光学调控 |
| 1.5.2 电学调控 |
| 1.5.3 力学调控 |
| 1.5.4 缺陷调控 |
| 1.5.5 厚度调控 |
| 1.5.6 构建异质结调控 |
| 1.6 本文的选题背景和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 样品制备与表征技术 |
| 2.1 二维vdW磁性材料的制备 |
| 2.1.1 二维石墨基磁性纳米片的制备 |
| 2.1.2 二维本征磁性材料的剥离与转移堆叠 |
| 2.2 二维vdW磁性材料的表征与测试 |
| 2.2.1 低温显微磁光克尔系统 |
| 2.2.2 低温磁场下光致发光谱 |
| 2.2.3 低温二次谐波产生系统 |
| 2.2.4 光学显微镜 |
| 2.2.5 显微光谱仪 |
| 2.2.6 磁学测量系统 |
| 2.2.7 其他表征 |
| 参考文献 |
| 第3章 石墨基磁性纳米片的制备及磁性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 室温铁磁石墨纳米片的制备及磁性研究 |
| 3.2.1 样品制备与表征 |
| 3.2.2 理论计算 |
| 3.2.3 结果与讨论 |
| 3.3 大片铁磁氟化石墨纳米片的合成及磁光研究 |
| 3.3.1 样品制备与表征 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.4 磁场下硼掺杂石墨纳米片的合成探究 |
| 3.4.1 样品制备与表征 |
| 3.4.2 结果与讨论 |
| 3.5 磁场影响化学反应与材料合成的机理研究 |
| 3.5.1 实验方案设计 |
| 3.5.2 结果与讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 二维本征铁磁Fe_3GeTe_2的交换偏置与磁性耦合 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 表征测试 |
| 4.2.3 理论计算 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 块体Fe_3GeTe_2的物性 |
| 4.3.2 薄层Fe_3GeTe_2交换偏置的实现 |
| 4.3.3 交换偏置的厚度依赖与锻炼效应 |
| 4.3.4 反铁磁耦合的二次谐波探测 |
| 4.3.5 交换偏置和反铁磁的温度依赖 |
| 4.3.6 交换偏置和反铁磁的磁场依赖 |
| 4.3.7 反铁磁耦合出现的机理分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 二维发光/磁性材料异质结的制备及发光调控 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 WSe_2/BN无磁异质结的发光调控 |
| 5.2.1 样品制备与表征 |
| 5.2.2 结果与讨论 |
| 5.3 WSe_2/Fe_3GeTe_2磁性异质结中发光调控 |
| 5.3.1 样品制备与表征 |
| 5.3.2 结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文和其他成果 |
（4）几种新型磷族量子材料的低温物性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 低温物理学简介 |
| 1.2 超导体研究概述 |
| 1.3 拓扑半金属研究概述 |
| 1.4 本章小结 |
| 第2章 晶体生长与实验技术 |
| 2.1 晶体生长 |
| 2.2 物性表征手段 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 综合物性测量系统 |
| 2.2.4 磁学测量系统 |
| 2.2.5 ~3He-18 T低温强磁场测量系统 |
| 2.3 聚焦离子束技术及其在量子材料中的应用 |
| 2.3.1 聚焦离子束技术 |
| 2.3.2 聚焦离子束的应用 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 超导体La_3Cr_(10-x)N_(11)的生长和物性研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 La_3Cr_(10-x)N_(11)多晶样品的生长及测量方法 |
| 3.2.1 样品生长 |
| 3.2.2 实验测量及理论计算方法 |
| 3.3 La_3Cr_(10-x)N_(11)的结构及物性研究 |
| 3.3.1 结构 |
| 3.3.2 电阻磁化率及比热 |
| 3.3.3 理论计算 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 CaMn_2P_2的单晶生长与其低温物性研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 CaMn_2P_2的单晶生长方法与物性表征手段 |
| 4.2.1 单晶生长 |
| 4.2.2 物性表征手段 |
| 4.3 CaMn_2P_2的结构与低温物性研究 |
| 4.3.1 晶体结构 |
| 4.3.2 低温物性测量与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 拓扑半金属SrAs_3的单晶生长及其物性研究 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 单晶生长与物性表征 |
| 5.2.1 单晶生长 |
| 5.2.2 物性表征手段 |
| 5.3 SrAs_3的结构及物性分析 |
| 5.3.1 结构及成分分析 |
| 5.3.2 SrAs_3单晶的电输运测量研究 |
| 5.3.3 SrAs_3微器件的制备 |
| 5.3.4 SrAs_3微加工器件的电输运测量与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（5）新型有机-无机杂化钙钛矿的合成与自旋器件研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钙钛矿简介 |
| 1.2 有机-无机杂化钙钛矿的分类 |
| 1.2.1 三维钙钛矿 |
| 1.2.2 二维钙钛矿 |
| 1.2.3 一维钙钛矿 |
| 1.2.4 零维钙钛矿 |
| 1.3 有机-无机杂化钙钛矿的组成 |
| 1.4 有机-无机杂化钙钛矿晶体的合成方法 |
| 1.4.1 逆温度结晶法 |
| 1.4.2 反溶剂辅助结晶法 |
| 1.4.3 过饱和溶液降温结晶法 |
| 1.4.4 缓慢挥发法 |
| 1.5 有机-无机杂化钙钛矿材料的特性与器件 |
| 1.5.1 白光发射 |
| 1.5.2 铁电性 |
| 1.5.3 太阳能电池 |
| 1.5.4 发光二极管 |
| 1.5.5 场效应晶体管 |
| 1.5.6 电阻-开关记忆器件 |
| 1.5.7 突触 |
| 1.6 有机-无机杂化钙钛矿自旋相关性质研究 |
| 1.6.1 自旋对激子的影响 |
| 1.6.2 有机-无机杂化钙钛矿器件的磁场效应 |
| 1.6.3 二维手性有机-无机杂化钙钛矿中的自旋调控 |
| 1.6.4 二维钙钛矿磁体中的自旋重取向诱导磁介电耦合效应 |
| 1.6.5 有机-无机杂化钙钛矿中的磁相互作用 |
| 1.6.6 磁性和多铁性 |
| 1.6.7 介电特性 |
| 1.7 选题思路及研究意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 新型二维杂化钙钛矿的热致变色和铁磁性研究 |
| 2.1 课题的提出与材料设计思路 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 原料 |
| 2.2.2 PED·2HCl和BED·2HCl晶体的合成 |
| 2.2.3 (PED)CuCl_4晶体的合成 |
| 2.2.4 (BED)2CuCl_6晶体的合成 |
| 2.2.5 器件制备和仪器测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 粉末XRD |
| 2.3.2 热重分析 |
| 2.3.3 单晶结构 |
| 2.3.4 热致变色性质 |
| 2.3.5 变温紫外可见光谱 |
| 2.3.6 变温XRD |
| 2.3.7 变温电导率 |
| 2.3.8 磁学测试 |
| 2.4 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第三章 钙钛矿手性铁磁体 |
| 3.1 课题的提出与材料设计思路 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 原料 |
| 3.2.2 R-MPEA·HCl和S-MPEA·HCl晶体的合成 |
| 3.2.3 (R-MPEA)_2CuCl_4和(S-MPEA)_2CuCl_4晶体的合成 |
| 3.2.4 样品测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 (R-MPEA)_2CuCl_4和(S-MPEA)_2CuCl_4晶体的显微镜照片 |
| 3.3.2 粉末XRD |
| 3.3.3 热重分析 |
| 3.3.4 单晶结构 |
| 3.3.5 紫外光谱和CD光谱 |
| 3.3.6 磁学测试 |
| 3.3.7 磁手性二色性 |
| 3.4 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第四章 新型二维杂化钙钛矿白光发射与场效应研究 |
| 4.1 发光场效应晶体管 |
| 4.1.1 兼具发光与导电的材料 |
| 4.1.2 钙钛矿场效应研究进展 |
| 4.1.3 钙钛矿发光研究进展 |
| 4.2 课题的提出与材料设计思路 |
| 4.3 实验部分 |
| 4.3.1 原料 |
| 4.3.2 PEA·HBr、PED·2HBr和BED·2HBr晶体的合成 |
| 4.3.3 PEA·HI、PED·2HI和BED·2HI晶体的合成 |
| 4.3.4 (PEA)_2PbBr_4、(PED)PbBr_4、(BED)PbBr_4晶体的合成 |
| 4.3.5 (PEA)-2SnI_4、(PED)_4Sn3I_(14)、(BED)SnI_4晶体的合成 |
| 4.3.6 器件制备和仪器测试 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 晶体照片 |
| 4.4.2 单晶结构 |
| 4.4.3 热稳定性 |
| 4.4.4 紫外可见光谱 |
| 4.4.5 荧光光谱 |
| 4.4.6 白光发射机理 |
| 4.4.7 荧光寿命 |
| 4.4.8 CIE |
| 4.4.9 掠入射X射线散射(GIWAXS) |
| 4.4.10 场效应性能表征 |
| 4.4.11 光检测器、磁阻测试和Z-Scan测试 |
| 4.5 其它二维杂化钙钛矿 |
| 4.6 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第五章 钙钛矿/高分子复合物近红外光探测器研究 |
| 5.1 光检测器 |
| 5.1.1 简介 |
| 5.1.2 光电探测器分类 |
| 5.1.3 钙钛矿光检测器研究进展 |
| 5.2 课题的提出与材料设计思路 |
| 5.3 实验部分 |
| 5.3.1 原料及实验方法 |
| 5.3.2 器件制备 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 紫外吸收光谱 |
| 5.4.2 粉末XRD |
| 5.4.3 TEM |
| 5.4.4 AFM |
| 5.4.5 PET/MAPbI_3/PCDTPT器件制备 |
| 5.4.6 PET/MAPbI_3/PCDTPT性能表征 |
| 5.4.7 MAPbI_3/PCDTPT薄膜形貌优化 |
| 5.4.8 钙钛矿单晶/PCDTPT光探测器 |
| 5.5 无铅钙钛矿 |
| 5.6 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第六章 二维杂化钙钛矿铁磁共振研究 |
| 6.1 自旋电子学 |
| 6.2 有机自旋电子学 |
| 6.3 钙钛矿自旋电子学 |
| 6.3.1 自旋-轨道耦合 |
| 6.3.2 杂化钙钛矿中Rashba效应和Dresselhaus效应 |
| 6.3.3 霍尔效应 |
| 6.3.4 逆自旋霍尔效应 |
| 6.3.5 铁磁共振 |
| 6.4 课题的提出与材料设计思路 |
| 6.5 实验部分 |
| 6.6 结果与讨论 |
| 6.6.1 MAPbBr_3霍尔效应 |
| 6.6.2 (BED)_2CuCl_6/Pt铁磁共振研究 |
| 6.6.3 PBTTT/Pt铁磁共振研究 |
| 6.7 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 本研究工作存在的不足 |
| 7.3 研究展望 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（6）基于铜及钴的氧族纳米复合材料的载药行为及电催化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 无机纳米材料的概述 |
| 1.2 无机纳米材料的分类 |
| 1.2.1 金属氧化物纳米材料 |
| 1.2.2 纳米复合氧化物 |
| 1.2.3 炭纳米材料 |
| 1.2.4 其他材料 |
| 1.3 无机纳米材料的合成方法 |
| 1.3.1 微波合成法 |
| 1.3.2 水热/溶剂热法 |
| 1.3.3 溶胶-凝胶法 |
| 1.3.4 模板法 |
| 1.4 无机纳米材料的主要应用 |
| 1.4.1 锂离子电池和超级电容器 |
| 1.4.2 电催化的应用 |
| 1.4.3 生物医学领域的应用 |
| 1.5 本论文研究的意义及内容 |
| 1.5.1 研究意义和目的 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验仪器,化学试剂和原料药 |
| 2.1.1 实验仪器 |
| 2.1.2 实验所用化学试剂和原料药 |
| 2.2 材料的表征和测试 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)测试 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM)测试 |
| 2.2.3 紫外-可见吸收光谱(UV-vis)测试 |
| 2.2.4 X射线衍射(XRD)测试 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(XPS)测试 |
| 2.2.6 傅里叶变换红外光谱(FI-IR)测试 |
| 2.2.7 热重及差示扫描量热(TG/DSC)测试 |
| 2.2.8 电化学测试 |
| 2.2.9 孔径测试 |
| 第三章 CuO@CoO复合材料的合成与表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 前驱体Cu_2O的制备 |
| 3.2.2 CuO@CoO的制备 |
| 3.2.3 CoO材料的制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 合成示意图 |
| 3.3.2 X射线衍射分析 |
| 3.3.3 X射线光电子能谱分析 |
| 3.3.4 扫描电镜分析 |
| 3.3.5 透射电镜和EDS分析 |
| 3.3.6 氮气吸附及孔径分析 |
| 3.4 小结及创新点 |
| 第四章 CuO@CoO对5-氟尿嘧啶的吸附与释放行为的研究及其稳定性初步摸索 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 5-氟尿嘧啶检测波长的确定以及标准曲线的绘制 |
| 4.2.2 载药实验 |
| 4.2.3 负载量的计算 |
| 4.2.4 药物体外溶出实验 |
| 4.2.5 溶液稳定性实验 |
| 4.2.6 影响因素实验 |
| 4.2.7 溶血性实验 |
| 4.2.8 RAW264.7细胞毒性实验 |
| 4.2.9 抗炎效应 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 检测波长的确定和标准曲线的绘制 |
| 4.3.2 载药量的计算 |
| 4.3.3 X射线衍射分析 |
| 4.3.4 红外光谱分析 |
| 4.3.5 热重和示差扫描量热法分析 |
| 4.3.6 体外溶出试验 |
| 4.3.7 溶液稳定性试验 |
| 4.3.8 影响因素试验 |
| 4.3.9 溶血性试验 |
| 4.3.10 RAW264.7细胞毒性实验 |
| 4.3.11 抗炎效应 |
| 4.4 小结及创新点 |
| 第五章 Cu_2S@CoO中空纳米花结构的合成及析氧性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 Cu_2O/Cu_2S的制备 |
| 5.2.2 Cu_2S@CoO的制备 |
| 5.2.3 电化学测试 |
| 5.3 结果和讨论 |
| 5.3.1 Cu_2S@CoO的形成过程 |
| 5.3.2 Cu_2S@CoO的 XRD和 XPS探究 |
| 5.3.3 电化学研究 |
| 5.4 小结及创新点 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
（7）我国煤基石墨资源与制烯潜力（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 煤基石墨资源成因 |
| 1.1 石墨资源分布与利用 |
| 2.2 煤基石墨成因机制 |
| 3 煤基石墨结构表征 |
| 3.1 石墨晶体结构 |
| 3.2 煤基石墨表征方法 |
| 4 煤基石墨烯制备及前景分析 |
| 5 结语 |
（8）FeSiBPCu合金粉体的制备及其软磁性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 金属磁粉芯 |
| 1.1.1 金属磁粉芯分类 |
| 1.1.2 逾渗理论 |
| 1.2 Fe-N化合物概述 |
| 1.2.1 ε-Fe3N磁性粉体国内外研究现状 |
| 1.2.2 Fe-N化合物吸波性能研究现状 |
| 1.3 FeSiBPCu非晶纳米晶研究现状 |
| 1.4 本论文研究意义及内容 |
| 1.4.1 本文主要研究意义 |
| 1.4.2 本文主要研究内容 |
| 第2章 FeSiBPCu合金粉体的制备及表征 |
| 2.1 FeSiBPCu合金粉体的制备 |
| 2.1.1 合金粉体设计思路 |
| 2.1.2 FeSiBPCu合金粉体的制备 |
| 2.2 FeSiBPCu合金粉体的表征 |
| 2.3 FeSiBPCu合金粉体性能分析 |
| 2.3.1 合金粉体相结构分析 |
| 2.3.2 合金粉体软磁性能 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 FeSiBPCu磁粉芯制备及其软磁性能 |
| 3.1 金属磁粉芯理论及性能表征 |
| 3.1.1 金属磁粉芯理论 |
| 3.1.2 磁粉芯性能指标物理意义及表征 |
| 3.2 FeSiBPCu磁粉芯制备 |
| 3.3 P含量对FeSiBPCu磁粉芯性能的影响 |
| 3.4 FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯磁性能分析 |
| 3.4.1 密度对FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯磁性能的影响 |
| 3.4.2 颗粒级配对FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯性能的影响 |
| 3.4.3 包覆剂对FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯性能的影响 |
| 3.4.4 退火温度对FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯性能的影响 |
| 3.4.5 FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯直流叠加特性 |
| 3.4.6 磁场热处理对FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯性能的影响 |
| 3.4.7 FeSiBP_(0.5)Cu磁粉芯静态(直流)条件下磁性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体制备及其软磁性能 |
| 4.1 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体的制备 |
| 4.2 粉体形貌特征对粉体盐浴氮化的影响 |
| 4.3 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体物相分析 |
| 4.4 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N微观结构与氮化机理分析 |
| 4.4.1 盐浴氮化基本原理 |
| 4.4.2 片状Fe(SiBP_(0.5)Cu)N合金粉体微观结构分析 |
| 4.4.3 片状FeSiBP_(0.5)Cu合金粉体盐浴氮化机理 |
| 4.5 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体软磁性能研究 |
| 4.5.1 氮化温度对Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体软磁性能影响 |
| 4.5.2 氮化时间对Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体软磁性能影响 |
| 4.5.3 ε-Fe(SiBP_(0.5)Cu)_3N粉体磁温度特性分析 |
| 4.6 ε-Fe(SiBP_(0.5)Cu)_3N粉体热稳定性分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N粉体的吸波性能 |
| 5.1 材料电磁参数与吸波原理 |
| 5.1.1 电磁参数 |
| 5.1.2 吸波原理 |
| 5.2 不同P含量FeSiBPCu合金粉体的吸波性能 |
| 5.2.1 不同P含量的FeSiBPCu合金粉体电磁参数 |
| 5.2.2 不同P含量的FeSiBPCu合金粉体吸波性能 |
| 5.3 Fe(SiBP_(0.5)Cu)N合金粉体吸波性能的影响 |
| 5.3.1 氮化温度对Fe(SiBP_(0.5)Cu)N合金粉体电磁参数的影响 |
| 5.3.2 氮化温度对Fe(SiBP_(0.5)Cu)N合金粉体吸波性能的影响 |
| 5.3.3 氮化时间对Fe(SiBP_(0.5)Cu)N合金粉体电磁性能的影响 |
| 5.3.4 氮化时间对Fe(SiBP_(0.5)Cu)N合金粉体吸波性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 石墨烯(GR)/FeSiBP_(0.5)Cu复合粉体制备与吸波性能 |
| 6.1 GR/FeSiBP_(0.5)Cu复合粉体的制备与表征 |
| 6.2 GR/FeSiBP_(0.5)Cu复合粉体性能分析 |
| 6.3 GR/FeSiBP_(0.5)Cu复合粉体电磁参数与吸波性能 |
| 6.3.1 GR/FeSiBP_(0.5)Cu复合粉体电磁参数 |
| 6.3.2 GR/FeSiBP_(0.5)Cu复合粉体吸波性能 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 工作特色与创新 |
| 7.3 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（9）化学镀Ni-Cu-P对Fe基非晶合金电磁屏蔽性的影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电磁屏蔽技术的发展 |
| 1.2 电磁屏蔽理论 |
| 1.2.1 电磁屏蔽的类型 |
| 1.2.2 静电屏蔽 |
| 1.2.3 磁场屏蔽 |
| 1.2.4 电磁屏蔽与屏蔽效能 |
| 1.3 电磁屏蔽材料 |
| 1.3.1 铁磁材料 |
| 1.3.2 良导体材料 |
| 1.3.3 复合材料 |
| 1.3.4 导电涂料 |
| 1.4 化学镀 |
| 1.4.1 化学镀概述 |
| 1.4.2 化学镀Ni反应机理 |
| 1.4.3 化学镀在电磁屏蔽中的应用现状 |
| 1.5 选题意义及研究内容 |
| 1.5.1 选题意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 超薄柔性 Fe?Si?B@Ni?Cu?P 多层非晶复合材料的制备及其电磁屏蔽性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 主要原料 |
| 2.2.2 Fe?Si?B@Ni?Cu?P非晶复合带材的制备 |
| 2.2.3 结构表征 |
| 2.2.4 性能表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 Fe?Si?B@Ni?Cu?P非晶复合带材的制备与结构表征 |
| 2.3.2 Fe?Si?B@Ni?Cu?P复合带材的导电性能和软磁性能 |
| 2.3.3 Fe?Si?B@Ni?Cu?P复合材料的电磁屏蔽性能 |
| 2.3.4 Fe?Si?B@Ni?Cu?P复合带材的其他性能 |
| 2.3.5 长时间化学镀对Fe?Si?B@Ni?Cu?P复合带材结构和性能的影响 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 改性Fe基非晶涂层的设计及其电磁屏蔽性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要原料 |
| 3.2.2 Fe?Si?B?P?Nb母合金的制备 |
| 3.2.3 Fe?Si?B?P?Nb非晶粉末的制备 |
| 3.2.4 Fe?Si?B?P?Nb@Ni?Cu?P非晶改性粉末的制备 |
| 3.2.5 Fe基非晶涂层的制备 |
| 3.2.6 表征方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Fe?Si?B?P?Nb@Ni?Cu?P非晶改性粉末的制备 |
| 3.3.2 Fe?Si?B?P?Nb@Ni?Cu?P非晶改性粉末的结构表征 |
| 3.3.3 Fe?Si?B?P?Nb@Ni?Cu?P非晶改性粉末的性能表征 |
| 3.3.4 Fe基非晶涂层的结构表征 |
| 3.3.5 Fe基非晶涂层的稳定性和力学性能 |
| 3.3.6 Fe基非晶涂层的软磁性能和导电性能 |
| 3.3.7 Fe基非晶涂层的电磁屏蔽性能 |
| 3.3.8 Fe基非晶涂层的电磁屏蔽机理分析 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 Ni?Cu?P改性Fe基非晶粉末的抗氧化机制研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 主要原料 |
| 4.2.2 母合金的制备 |
| 4.2.3 Fe基磁性粉末的制备 |
| 4.2.4 Ni?Cu?P改性Fe基磁性粉末的制备 |
| 4.2.5 表征方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Ni?Cu?P镀层优化Fe基粉末抗氧化性的普适性 |
| 4.3.2 化学镀时间对改性粉末抗氧化性能的影响 |
| 4.3.3 CuSO_4·5H_2O浓度对改性粉末抗氧化性能的影响 |
| 4.3.4 Ni?Cu?P改性粉末抗氧化机理的分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 |
| 作者个人简介 |
| 已发表论文 |
| 国家发明专利 |
| 参加的研究项目 |
（10）基于微晶石墨的石墨烯制备及其电磁特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 石墨烯概述 |
| 1.1.1 石墨烯结构与性能 |
| 1.1.2 石墨烯制备方法 |
| 1.1.3 以天然石墨为原料制备石墨烯 |
| 1.2 石墨烯吸波材料概述 |
| 1.2.1 单一石墨烯吸波材料 |
| 1.2.2 石墨烯复合吸波材料 |
| 1.3 本文研究目的、意义和内容 |
| 1.3.1 本论文研究目的与意义 |
| 1.3.2 本论文研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料与仪器设备 |
| 2.1.1 原料与试剂 |
| 2.1.2 仪器与设备 |
| 2.2 实验过程与方法 |
| 2.2.1 本论文研究思路 |
| 2.2.2 以微晶石墨为原料制备石墨烯粉体 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜 |
| 2.3.2 场发射高分辨透射电镜 |
| 2.3.3 原子力显微镜 |
| 2.3.4 傅里叶红外光谱仪 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 |
| 2.3.6 X射线衍射 |
| 2.3.7 拉曼光谱 |
| 2.3.8 电导率 |
| 2.3.9 电磁特性 |
| 第三章 微晶石墨液相氧化还原法制备石墨烯研究 |
| 3.1 微晶石墨制备石墨烯形貌分析 |
| 3.1.1 SEM分析 |
| 3.1.2 TEM分析 |
| 3.1.3 AFM分析 |
| 3.2 微晶石墨制备石墨烯组织结构分析 |
| 3.2.1 FT-IR分析 |
| 3.2.2 XPS分析 |
| 3.2.3 XRD分析 |
| 3.2.4 RAMAN分析 |
| 3.3 以微晶石墨制备石墨烯的合成机理分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 SRGO制备及其电磁特性研究 |
| 4.1 乙醇浓度对SRGO结构组成及电磁特性的影响 |
| 4.1.1 乙醇浓度对SRGO结构组成的影响 |
| 4.1.2 乙醇浓度对SRGO电导率的影响 |
| 4.1.3 乙醇浓度对SRGO/石蜡电磁特性的影响 |
| 4.2 反应温度对SRGO结构组成及电磁特性的影响 |
| 4.2.1 反应温度对石墨烯组成结构的影响 |
| 4.2.2 反应温度对SRGO电导率的影响 |
| 4.2.3 反应温度对SRGO/石蜡电磁特性的影响 |
| 4.3 微晶石墨烯吸波机理初探 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 (攻读硕士学位期间发表的论文) |
四、石墨微晶粉末系统磁阻研究（论文参考文献）
- [1]低维材料的分子束外延生长及性能研究[D]. 李淑荟. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2021(02)
- [2]拓扑和关联电子体系中新型热电材料的探索及其输运性质的研究[D]. 王洪辉. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [3]二维范德瓦尔斯磁性材料的制备及其磁性研究[D]. 刘财兴. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [4]几种新型磷族量子材料的低温物性研究[D]. 李延杰. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2020(02)
- [5]新型有机-无机杂化钙钛矿的合成与自旋器件研究[D]. 孙冰. 兰州大学, 2020
- [6]基于铜及钴的氧族纳米复合材料的载药行为及电催化研究[D]. 李艳敏. 广东药科大学, 2020(01)
- [7]我国煤基石墨资源与制烯潜力[J]. 李久庆,秦勇,陈义林,师庆民,郑长东. 煤炭科学技术, 2020(S1)
- [8]FeSiBPCu合金粉体的制备及其软磁性能研究[D]. 徐玉华. 南昌大学, 2019(01)
- [9]化学镀Ni-Cu-P对Fe基非晶合金电磁屏蔽性的影响研究[D]. 张继君. 中国科学院大学(中国科学院宁波材料技术与工程研究所), 2018(01)
- [10]基于微晶石墨的石墨烯制备及其电磁特性研究[D]. 朱旭坤. 长沙理工大学, 2017(01)